标题:用于直流到直流转换器和电压调节器的GaN

日期:8月28日,2018年

时间:太平洋时间上午8点/东部时间上午11点

提出的:史蒂夫·桑德勒，Picotest

由:罗德与施瓦茨公司

文摘:

Alex Lidow表示，60年来，我们第一次拥有了在所有指标上都优于硅的半导体。这是一个大胆的声明，特别是考虑到Alex Lidow也共同发明了硅HEXFET，这种技术正在被GaN取代。

与硅mosfet相比，GaN具有许多优点，包括更小的尺寸，更低的状态电阻，更稳定的栅极电压，更低的电容，从而获得更高的速度，更低的电感连接电感，并且可以使用现有的硅晶圆厂制造，以及更低的成本。

有了所有这些好处，大规模采用应该是即时的，对吧?然而，工程师们改变的速度很慢，部分原因是缺乏可靠的信息，部分原因是对未知的恐惧。在这个网络研讨会上，我们将回答这些重要的问题，提供你需要的基本信息，减轻你的恐惧:

• 为什么对GaN这么大惊小怪?
• 我真的应该感兴趣吗?有多感兴趣?
• 我们能把硅器件换成GaN器件吗?
• 优点、缺点和一些陷阱是什么?
• 什么拓扑最适合GaN?

主持人生物:

史蒂夫·桑德勒从事电力系统工程工作近40年。Steve是PICOTEST.com的创始人，PICOTEST.com是一家专门从事电力完整性解决方案的公司，包括测量产品、服务和培训。他经常就电源、PDN和分布式系统等主题进行国际讲座和研讨会，是Keysight认证的EDA软件专家。

他经常撰写与电源和PDN性能相关的文章和书籍，他的最新著作《电源完整性:电子系统中电源相关参数的测量、优化和故障排除》于2014年由麦格劳-希尔出版。

请注意:
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