GaN晶体管GS-065-060-3-B/T提供低R_DS(上)(25 mΩ)，具有60 a IDS额定值和GaN Systems的Island Technology®电池布局，可实现高电流芯片性能和良率。

e系列mosfet针对车载汽车电源转换系统、车载充电、太阳能逆变器和其他户外应用的EV电池充电器和高压DC/DC转换器进行了优化。