扩展的CoolSiC组合提供2kV碳化硅(SiC) mosfet，以及2kV碳化硅二极管，适用于高达1500v的应用_直流．

TO247PLUS包提供了更大的爬电距离，易于设计。EDT2技术为牵引逆变器优化，击穿电压为750 V，支持电池电压高达470 V_直流，并显著降低开关和传导损失。

eicdriver F3增强型安装在300 mil宽体DSO 16封装中，具有8毫米的大爬电距离。单通道隔离门驱动器提供了极高的共模瞬态免疫(CMTI)，可达300kv /us，典型输出电流可达8.5 A。

为最终应用中的设计挑战提供实用的解决方案，英飞凌科技股份有限公司推出最新一代OptiMOS™源向下(SD)功率mosfet。他们在PQFN 3.3 x 3.3毫米²电压等级从25v到100v不等。

eicdriver™1EDN71x6G HS 200V单通道门驱动ic系列。该产品系列旨在提高CoolGaN™肖特基门(SG) hemt的性能，但也与其他GaN hemt和硅mosfet兼容。

英飞凌科技公司正在扩大其电池管理系统的产品供应，该系统采用了传感和平衡集成电路TLE9012AQU。该装置是专门为混合动力汽车和电动汽车的电池设计的，但它也适用于其他应用。

作为第一家芯片制造商，该公司建立了专门的倒装芯片封装生产工艺，完全符合汽车市场的高质量要求。英飞凌现在推出了第一款各自的产品:线性稳压器optire^TMTLS715B0NAV50。