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电源完整性

为什么模内电源轨测量很重要

2018年6月5日

在本文中,我们将展示一些模具上电源导轨测量的示例。

对于这个项目,我们将使用Atmel 328微控制器演示板,准备了固件来明确地控制它,并在I/O引脚和范围的有源探头输入之间连接同轴电缆。这种互连为信号提供了高带宽的传输线路径。这些示例的测试设备是Teledyne LeCroy HDO8108A示波器和三个Teledyne LeCroy RP4030有源电压轨探头(见图1)。


图1

这是我们的仪器演示板的设置:一个I/O(引脚8)将被切换为示波器的触发器,为我们后续操作提供参考。触发器是一个持续一个时钟周期的单一高低脉冲。为了不将该线路与同轴电缆的50-Ω输入一起加载,我们在同轴电缆焊接到电路板走线的地方添加了一个450-Ω电阻。因此,它会给我们10倍的衰减,但考虑到它只触发示波器,我们不关心这个信号的信噪比。

其他一些引脚将加载50-Ω或1-MΩ输入到示波器,因此我们可以打开和关闭该直流负载,并查看额外的I/O电流对芯片的影响。

另一个引脚是我们的静音低引脚设置为低输出,它有效地将其输出连接到芯片上的Vss,并使用电压轨探头进行监测。同时,另一个引脚是一个静高引脚,设置为高输出,它有效地将其输出连接到模具上的Vcc并类似地监测。这两个引脚都离开电路板进入同轴传输线,并直接进入轨道探头。

我们还将监视演示板本身的5v线。其他几个引脚被配置为驱动LED负载,我们可以切换开关,并看到这些负载对导轨的影响。

On-Die电源轨的特征

对于本例,微控制器的时钟速率为16 MHz(1周期= 63 ns)。当DUT处于空闲状态,没有I/O切换时,芯片上不应该发生任何事情。在这种状态下,我们可以看到机载配电网络(PDN)的噪声水平,以及从开关模式电源和低差调节器发出的一些噪声。我们应该看到最低的噪音行为。

即使没有I/O切换,微控制器也会持续运行后台维护功能,如看门狗定时器、其他定时和计数,以及运行时钟。随着I/O切换,我们应该看到地面反弹和功率下降,导致模具上的轨道压缩。

现在我们已经准备好开始一些芯片上的电源轨道测量,这是一个好主意,退一步,并预测这些测量应该显示给我们什么。当CMOS门开关时,在芯片上实际发生了什么?我们应该期待看到什么上模电源轨?时钟边缘会发生什么呢?

当I/O门从逻辑低电平切换到逻辑高电平时,来自芯片上配电网络(PDN)的电流将从Vdd/Vcc轨一路流到Vss轨(图2)。这是因为当器件从低电平切换到高电平时,输出线的电容参考了两个轨的电容。


图2

当I/O门从高电平切换到低电平时会发生什么情况(图3)?这是合乎逻辑的认为,它将简单地释放电容通过n通道栅极和电流流动将是局部的环路。但在芯片上,输出电容也通过芯片上互连电容参考Vdd/Vcc。当输出线从高电平切换到逻辑低电平时,我们通过n沟道栅极释放该电容中的电荷,但我们也通过互连到Vdd的电容产生电压降。dV/dT到Vdd轨驱动电流也通过这条路径。


图3

因此,即使当I/O从高电平切换到低电平时,我们仍然会有PDN电流流过PDN的阻抗。反过来,这意味着我们将看到电流在时钟的两边流动。

时钟的两边都有开关。一般来说,根据逻辑设计,当时钟沿上升时,门被开关,当时钟沿下降时,门被锁存。在闭锁时,应比在开关时消耗更少的电流。因此,即使我们在两个时钟边的Vdd/Vcc和Vss之间获得PDN电流,也应该存在电流流动的不对称性(图4)。


图4

这总结了我们的期望,我们应该看到在模具上的电源轨道。没有I/O切换。现在让我们看看实际的测量结果。

回顾了片上电源轨测试的测试设置以及我们对测试结果的期望之后,让我们来回顾一下测量结果。我们还会注意我们的结果是否符合我们的预期。

首先,让我们看看MCU的空闲状态,并且只有低电流触发I/O功能在起作用(图5)。顶部走线是静高线(芯片上的Vcc),而底部走线是静低线(芯片上的Vss),两者都相对于演示板上的地面。这是对配电网络(PDN)上的电压噪声的直接测量。在空闲状态下,没有I/O切换。这个PDN电流流过封装。一些噪声是由片上PDN阻抗引起的,一些是由封装阻抗引起的。由于片上核心逻辑开关引起的时钟边缘噪声明显,峰值噪声约为75 mV。


图5

图5中中心的黄色轨迹是我们用作作用域参考的单个触发引脚。它正在吸收少量电流;这是一个500-Ω负载和一个5v的电源,所以当它接通时,它会消耗大约10毫安。

我们可以使用内置的参数提取计算器来测量触发信号的重要数值。上升时间为3.2 ns,这给了我们在这个特定的Atmel MCU中输出驱动器的上升时间。脉冲宽度测量64纳秒;时钟频率是16兆赫,这是一个时钟周期。I/O在第一个时钟周期的前沿高电平切换,在第二个时钟周期的前沿低电平切换。

在触发事件前后,空闲状态下的电压噪声反映了MCU的其他活动,如寻找中断等。

另外,请注意,当输出从高电平切换到低电平时,电源轨会崩溃,并且会有一些超调的恢复。这就是小的10毫安开关电流对电源轨的影响。安静线上的噪声,看片上的Vss轨,是I/O从高电平切换到低电平时的地面反弹。

这就是骰子上发生的事情。印刷电路板呢?图6显示了相对于地的电路板级Vcc电源。顶部是一个5v USB笔记本电脑端口,为MCU供电,它显示了开关模式电源(SMPS)的典型特征。电源的开关频率约为50khz。噪声为30mv pk-pk,噪声小于1%。底部是板上的低差(LDO)稳压器,由外部9-V直流电源供电。这种供应是典型的SMPS。LDO滤除了大部分开关噪声。这里的电压噪声仅为2 mV pk-pk,这就是我们测量系统的信噪比非常重要的地方。


图6

接下来,让我们看看当我们启动其他I/ o开关时会发生什么。图7显示的是芯片上的电压噪声(顶部为白色的静高线/Vcc),以及另一个I/O开关(中间为紫色的V_I/O)。当这个I/O切换时,我们看到在安静的低线/Vss(蓝色底部)中有更多的电流流动,并且有一些负的接地反弹。当I/O开关接通时,大量电流流过接地回路,它看到封装引线上的电感。所有共享Vss线的芯片都看到了这个电压噪声。


图7

在片上电源轨本身(Vcc)上,我们可以在I/O开关打开之前看到迹线左侧部分的时钟噪声。当开关发生时,我们可以看到一个非常大的电压降,以及更多的电压噪声。这是由几个I/O同时切换造成的大约300 mV的下降(图7的屏幕截图中只看到一个)。当V_I/O从高电平切换到低电平时,Vss中会出现大约200 mV的电压反弹。

同时,在电路板上(中间红色的vc板),可以观察到很小的噪声,电压降小于30mv。在这种情况下,发生在骰子上的瞬时电流才是侵略者。芯片上的噪声必须通过封装引线的电感和板上电容。这是一个LC低通滤波器。没有高频成分使他们的方式通过这个滤波器到板级Vcc。

最后,让我们看看一堆I/ o切换时的波形。我们将为I/ o使用更长的on-time,并将时间基数缩小以获得更大的图像(图8)。在顶部的绿色部分,我们可以看到die上的高/Vcc线。我们的垂直刻度设置在200 mV/div,这是一个几乎600 mV的电压降,从5.1 V到4.5 V。您可以在走线中看到一些瞬态信号,以及大量低频或直流分量的证据。这表明在片上PDN中有大量的IR下降。


图8

同时,电路板上的电压(红色走线)具有更小的电压噪声,仅下降12 mV和快速的2 μs恢复。正如我们所料,我们看到了一个严重的阻尼反应。SMPS电压恢复,因为在晶片电流瞬态的轻微电压下降后,检测线将电压拉回。片上电压噪声和板上电压噪声之间存在巨大差异。由于大电流通过封装电感开关,封装中存在250mv的瞬态地反弹噪声。

这个例子说明,仅仅因为我们测量了电路板上的电压噪声,我们对芯片上的噪声知之甚少。如果这种板上噪声的攻击者在板上,则片上噪声将减少。如果这种板上噪声的攻击者在芯片上,芯片上的噪声可能会大得多。

在分析应用程序中的电源导轨噪声时,这是要记住的重要教训。使用本文中介绍的技术,有时可以直接测量晶片上的噪声,这才是真正重要的。

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