在过去的几十年里，高频半导体开关经历了几次重大的转变。在20世纪80年代，GaAs MMIC开关接管了许多大容量应用，如手机，其性能比传统的硅基开关要好得多。它们在市场上占据主导地位，直到绝缘体开关上的Si能够以较低的成本获得类似的性能。SOI开关现在在大多数应用中拥有这些大批量的市场。虽然MEMS开关已经问世多年，但多年来一直受到可靠性问题的困扰。但是现在Menlo Micro正在使用他们独特的MEMS工艺生产一些有趣的开关，这是高性能和可靠的。他们使用一种特殊的金属合金，克服了可靠性问题，射频玻璃基板是低损耗(来自康宁)。在无线领域，他们最近发布了一款DC-26 GHz交换机，IP3大于85 dBm，损耗1.3 dB，功率处理25w。

现在他们已经使用相同的技术生产了MM5600，这是一个DPDT DC-20 GHz开关，可以工作到40 Gbps，非常适合差分信号开关。集成驱动器可以由驱动开关的高压门线的串并联接口控制。与传统的电磁继电器解决方案相比，该设计还可减少94%的尺寸。外部+5 VDC逻辑电源和高压+89 VDC偏压源需要内部开关驱动器的操作。

应用包括差分高速开关，ATE设备接口板和高速计算机外围接口。MM5600交换机灵活的配置还支持内部差分交叉功能，极大地简化了单板路由。

根据他们的新闻稿，该交换机为基于最新PCI Express标准的高速数字应用提供了一流的差分交换解决方案，PCIe Gen 5，其互连速度比PCIe 4.0规范翻了一倍(32 Gigatransfers /s vs 16 GT/s)。更快的PCIe速度对于下一代人工智能、机器学习、5G基础设施、数据中心和基于云的应用程序，以及ATE设备接口板和高速计算机外围接口至关重要。MM5600开关还可以配置为射频和微波应用的单端操作。

快速切换: < 10µs操作时间和< 2µs释放时间(比EM继电器快1000倍，可减少测试时间和测试成本)

可靠性:可运行超过30亿次开关周期(寿命比传统EM继电器长1000倍)

紧凑的设计: 8 x 8 x 1.6 mm QFN封装(尺寸比传统电磁继电器解决方案缩小90%)

功率效率:小于0.08 mW(与EM继电器相比，功耗降低99%)

微分模式:集成驱动提供两种操作模式，可通过串行或并行接口控制

防静电保护:所有输入/输出端口都有ESD保护

IP3线性: IP3线性度超过+90 dBm，功率处理能力为+33 dBm，能够大幅降低失真，并比现有的EM继电器和固态开关提供高达10,000倍的改进

我们将密切关注Menlo Micro在高速数字和微波市场的发展，看看他们如何在这项技术上取得进展。