文章由英飞凌技术公司

扩展的CoolSiC产品组合提供2kV碳化硅(SiC) mosfet，以及一个2kV SiC二极管，适用于最高1500 V的应用_直流．

TO247PLUS封装提供了更大的爬电距离，易于设计。EDT2技术针对牵引逆变器进行了优化，击穿电压为750v，支持电池电压高达470v_直流，并显著降低开关和导通损耗。

EiceDRIVER F3增强型采用300mil宽体DSO 16封装，具有8毫米的大漏电距离。单通道隔离栅极驱动器可提供高达300 kV/us的高共模瞬态抗扰度(CMTI)和高达8.5 A的典型输出电流。

为终端应用中的设计挑战提供实用的解决方案，英飞凌科技有限公司推出最新一代OptiMOS™源下(SD)功率mosfet。它们采用PQFN 3.3 x 3.3毫米²封装和宽电压等级从25v到100v。

EiceDRIVER™1EDN71x6G HS 200V单通道门驱动ic系列。该产品系列旨在提高CoolGaN™肖特基门(SG) hemt的性能，但也与其他GaN hemt和硅mosfet兼容。

英飞凌技术公司(Infineon Technologies AG)正在扩大其电池管理系统的产品供应，包括传感和平衡IC TLE9012AQU。该设备是专门为混合动力和电动汽车的电池设计的，但它也适用于其他应用。

作为第一家芯片制造商，该公司建立了专门的倒装芯片封装生产工艺，完全符合汽车市场的高质量要求。英飞凌现在推出了第一款相应的产品:线性稳压器OPTIREG^TMTLS715B0NAV50。