丹林

林峰(丹),2000年获得美国爱达荷大学博伊西分校电气工程博士学位,1995年和1992年分别获得中国电气科学技术大学电气工程硕士和理学学士学位。他于2000年加入Micron Technology, Inc., Boise的DRAM设计研发部门,专注于用于高性能计算的高速、领先DRAM的开发。他最近担任信号完整性研发团队的高级内存架构和未来I/O开发的首席设计师。林博士是教材《DRAM电路设计,基础和高速主题》(Wiley-IEEE出版社,2008)的合著者。迄今为止,林博士拥有117项美国和国外专利。
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