Venkatesh Avula的文章

随着系统设计人员努力将越来越多的功能压缩到更小的电路板空间中，电源传输路径变得越来越复杂。目前成熟的基于硅mosfet的VRM设计很难满足当今的要求。GaN HEMT被吹捧为解决空间和性能限制难题的有前途的技术之一。然而，许多工程师对从头开始设计非常高频的GaN vrm犹豫不决。本文评估了修改现有Si-MOSFET设计以用于eGaN HEMT器件所需的步骤。本文还比较了GaN和Si在线性和开关稳压器拓扑中的预期性能，并涵盖了一些测量挑战。