马纳尔Avula

随着系统设计人员努力将越来越多的功能压缩到更小的板空间中，功率传输路径变得越来越复杂。目前成熟的基于硅mosfet的VRM设计很难满足当前的要求。GaN HEMT是解决这一空间和性能限制难题的有前途的技术之一。然而，许多工程师对从头开始设计非常高频的GaN vrm犹豫不决。本文评估了修改现有Si-MOSFET设计以用于eGaN HEMT器件所需的步骤。本文还比较了GaN和Si在线性和开关稳压器拓扑结构中的预期性能，并涵盖了一些测量挑战。