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PDN问题可能发生在最简单的电路中

当我们想到PDN时,首先想到的通常是FPGA和CPU。这些电路通常需要超低的PDN阻抗,以便在器件呈现的大动态电流变化期间在FPGA或CPU上保持适当的电压。

这项研究集中在一个小得多的规模,解决了一个非常简单的电路,包括相关的PDN问题。虽然这里显示的问题对某些人来说似乎是显而易见的,但这是一个非常常见的问题的极好示例。


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图1

两种常见的电力输送网络测量问题

关于测量电力输送网络(PDN)有很多问题,但这两个是非常常见的。为什么我们用1Ω分流电阻校准2端口测量,为什么我在两个端口上都使用直流阻滞器?在本文中,我将回答这两个问题。图1中的测量设置是一个例子,其中我使用了1Ω校准和直流阻滞器的包含。


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VRM

用于VRM设计的氮化镓hemt的评估

随着系统设计人员努力将越来越多的功能压缩到更小的电路板空间中,电源传输路径变得越来越复杂。目前成熟的基于硅mosfet的VRM设计很难满足当今的要求。GaN HEMT被吹捧为解决空间和性能限制难题的有前途的技术之一。然而,许多工程师对从头开始设计非常高频的GaN vrm犹豫不决。本文评估了修改现有Si-MOSFET设计以用于eGaN HEMT器件所需的步骤。本文还比较了GaN和Si在线性和开关稳压器拓扑中的预期性能,并涵盖了一些测量挑战。


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导体损失

互连如何工作:模拟导体损耗和色散

为了模拟以10-100 Gbps工作的串行数据通道的互连,需要精确5-6个频率几十年的传输线和转换模型。开云体育官网登录平台网址对于这种高速通道,极宽带的导体特性建模是一项具有挑战性的任务。开云体育官网登录平台网址本文解释了在PCB和封装互连中与导体相关的信号失真效应的物理学。阅读完本文后,您应该能够在EDA工具中设置简单的实验,以找出局限性,并有足够的资格向EDA工具供应商询问有关导体建模效果准确性的问题。


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眼图

用等球面紧密填充模拟导体表面粗糙度的实用方法

2015年设计展

在GB/s模式下,导体损耗的精确建模是成功实现高速串行链路设计的前提。本文提出了一种模拟导体表面粗糙度的实用方法。仅从制造商的数据表中获得粗糙度参数,现在可以根据第一流原理准确预测导体损耗。利用等球紧密堆积模型,确定了多球平铺地基的半径和面积,并将其应用于Huray“雪球”模型。以Megtron-6和N4000-13EP电介质为例,分别采用HVLP和VLP铜箔,验证了模型的准确性。


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