Richardson RFPD介绍了GaN系统的新型高性能降压转换器评估板，集成了pSemi高速驱动器

理查森RFPD公司。今天宣布GaN系统公司和pSemi公司的新评估板的可用性和完整的设计支持能力。

的GS61008P-EVBHF100v降压变换器评估板允许用户评估GaN系统的100vGS61008PE-Mode GaN晶体管与pSemiPE29101栅极驱动器在半桥配置。PE29101集成高速驱动器设计用于控制GaN系统e - hemt的栅极。PE29101的输出可以提供亚纳秒范围内的切换转换速度。

新型评估板的高开关速度使其能够在各种应用中使用更小的外围组件，包括DC-DC转换、AC-DC转换、无线充电和激光雷达。

的其他关键特性GS61008P-EVBHF包括:

·通用GaN半桥，开环控制

·超快切换时间:< 1 ns

·死区时间控制，独立于Vcc

·100 V / 90 A, 7 mΩ GaN E-HEMTs

·高速GaN驱动，可达40mhz

欲了解更多信息，或今天在线购买此产品，请访问GS61008P-EVBHF网页上。评估委员会也可致电1-800-737-6937(北美地区);或请找到当地的销售工程师(全球)在本地销售支持。如需了解GaN Systems的其他产品，请访问GaN系统店面网页上。要了解pSemi的其他产品，请访问pSemi店面网页上。