是德科技宣布高通量1ns脉冲IV存储器测试解决方案，加速新存储器的开发和商业化，包括STT-MRAM

是德科技有限公司(纽约证券交易所代码:KEYS)今天宣布了一项解决方案，用于表征自旋传递扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的磁隧道结(MTJ)，以克服传统机架和堆栈基础测试环境的挑战。Keysight的新NX5730A高通量1ns脉冲IV存储器测试解决方案是一个专门的解决方案，为研究人员和工程师在硅片上的MTJ器件的特性。

STT-MRAM作为首选的下一代高性能非易失性存储器(如移动和存储设备中使用的存储器)正受到广泛关注。MTJ是STT-MRAM最重要的组成部分，快速准确地表征MTJ是实现公司上市时间目标的关键成功因素。

NX5730A使用户能够应用精确和高速的脉冲电压(低至1ns脉冲宽度)来切换MTJ，并在切换前后精确快速地测量MTJ的电阻。除了电阻测量外，NX5730A允许工程师在写入脉冲期间清晰地捕获和可视化MTJ开关波形，即使脉冲宽度非常窄(低至1ns脉冲)。NX5730A允许用户在一个解决方案中准确、快速地执行所有典型的MTJ特性测试。这包括bert、耐久性测试、各种电压和写入脉冲宽度下的开关特性、通过开关波形可视化来评估开关时间，以及直流测试(例如电阻-电压特性)。是德科技还提供定制支持，以控制电磁体设备的特性与磁场。

是德科技晶圆测试解决方案总经理Masaki Yamamoto表示:“是德科技的新型NX5730A源于与东北大学创新集成电子系统中心(CIES) STT-MRAM活动的合作，并于2015年3月宣布了成功的成果。”“我们的客户在传统的机架和堆栈测试环境下进行MTJ表征时遇到了一些挑战，例如耗时的BERT，不准确的写入电压以及高速脉冲IV(如1ns脉冲宽度)的困难。NX5730A直接响应了我们客户对MTJ特性的需求，NX5730A已经在多个存储器研究机构中使用，包括CIES。此外，是德科技在CIES和是德科技的合作下，不断开发其先进技术。”

NX5730A通过1)系统级调整和专门的系统设计，以及2)是德科技在射频测量和系统集成方面的专业知识，实现了准确的特性表征。NX5730A通过更快的测量和优化的系统控制，实现了大约10到100倍的bert速度。NX5730A软件允许客户仅用几个步骤执行所有典型的MTJ测试。NX5730A设计与半自动探针到全自动探针相结合，使其成为STT-MRAM研究到早期生产的理想选择。

有关NX5730A的详细信息，请访问www.keysight.com/find/nx5730。解决方案的图像可在www.keysight.com/find/nx5730-images。更多信息请访问www.keysight.com。