Microsemi和Analog Devices合作开发可扩展SiC MOSFET驱动解决方案

Microsemi公司是一家领先的半导体解决方案提供商，在功率，安全性，可靠性和性能方面有所不同美国Analog Devices公司全球领先的高性能模拟技术公司Microsemi宣布推出一款可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计解决方案，该解决方案基于Microsemi的一系列SiC MOSFET产品和analog Device的ADuM4135 5KV隔离栅驱动器。双SiC MOSFET驱动器参考设计提供了用户友好的设计指南，为使用Microsemi SiC MOSFET的客户提供了更快的上市时间，并支持向Microsemi下一代SiC MOSFET的过渡。

新的参考设计为客户提供了一个高度隔离的SiC MOSFET双栅驱动开关，为评估多种拓扑结构中的SiC MOSFET提供了一种方法。这包括针对带同步死区保护的半桥开关和无保护的异步信号传输优化的模式。它还可以配置为提供并发驱动，以研究非箝位电感开关(UIS)或双脉冲测试的要求。该参考设计是为Microsemi SiC MOSFET分立器件和模块开发的，可作为评估其SiC器件组合的工程工具。该板支持修改栅极电阻值，以适应大多数Microsemi分立器件和模块。

Microsemi战略营销经理Jason Chiang表示:“双SiC MOSFET驱动器参考设计不仅使Microsemi客户能够加快产品开发工作，而且还适应我们下一代SiC MOSFET的推出，以确保最终用户的平稳过渡。”“在电力电子设计方面具有整体视角的客户可以利用我们新的SiC驱动器解决方案为他们的设计选择最佳驱动器和组件，并能够扩展到他们特定的SiC MOSFET需求。”

双SiC MOSFET驱动器参考设计适用于广泛的终端市场和应用，包括航空航天(致动、空调和配电)、汽车(混合动力/电动汽车动力系统、电动汽车电池充电器、dc - dc转换器和能量回收)、国防(电源和大功率电机驱动)、工业(光伏逆变器、电机驱动、焊接、不间断电源、开关电源、感应加热和石油钻探)和医疗(MRI和x射线电源)。

Analog Devices与Microsemi合作，作为加速生态系统的一部分，旨在缩短终端客户的上市时间，缩短生态系统参与者的盈利时间。Microsemi的Accelerate生态系统汇集了领先的硅、知识产权(IP)、系统、软件和设计专家，为最终客户提供经过验证的电路板和系统级解决方案。欲知详情，请浏览http://www.microsemi.com/design-support/accelerate-ecosystem-partners．

SiC产品具有许多优点，包括在相同的物理尺寸下提高系统效率，输出功率增加25- 50%，在更高开关频率下的效率优于绝缘栅双柱晶体管(igbt)，减小系统尺寸和重量，在温度(+175℃)下的工作稳定性以及显着的冷却成本节约。

根据市场研究公司Yole d阴郁发展，2021年碳化硅电力市场预计将超过5.5亿美元，2015-2021年复合年增长率(CAGR)为19%。该公司还描述了碳化硅的好处如何影响新产品和碳化硅技术的发展。Microsemi在这些趋势中处于有利地位，其SiC mosfet具有优于传统硅功率mosfet的动态和热性能，以及其他优势。将Analog Device的ADuM4135隔离SiC驱动器解决方案整合到Microsemi的MSCSICMDD/REF1 SiC MOSFET驱动器参考设计中，进一步增强了公司满足客户产品开发要求的能力。

adi公司具有DESAT和许多其他保护功能的隔离栅极驱动器提供强大的栅极驱动能力(6A)，以及强大的电气隔离，这对于高压电源转换系统的长寿命和安全运行至关重要。与采用光耦合器或脉冲变压器的设计相比，该公司的隔离栅驱动器产品组合为设计人员提供了性能和可靠性方面的优势。利用adi公司成熟的iCoupler®技术，隔离栅驱动器系列在宽带隙器件，特别是SiC mosfet支持的高压和高开关速度应用中提供了许多关键优势。这些优点包括:传输延迟优于50 ns，通道对通道匹配小于5ns，共模瞬态抗扰度(CMTI)优于>100KV/us，并且能够在单个封装中支持高达1500V DC的终身工作电压。

有关adi公司隔离栅驱动器的更多信息，请访问http://www.analog.com/en/products/power-management/isolated-gate-drivers.html．