英飞凌开始量产首个全集成电路模块

更高的效率，更高的功率密度，更小的占地面积和更低的系统成本:这些是基于碳化硅(SiC)晶体管的主要优点。英飞凌科技股份有限公司该公司已开始批量生产EASY 1B，这是2016年PCIM期间宣布的首个全sic模块。在今年的纽伦堡PCIM上，该公司展示了1200 V CoolSiC™MOSFET系列的额外模块平台和拓扑结构。英飞凌现在能够将SiC技术的潜力提升到一个新的水平。

“碳化硅已经达到了一个临界点:考虑到成本效益分析，它已经准备好用于各种应用，”英飞凌工业动力控制部门总裁Peter Wawer博士说。“然而，为了使新的半导体技术成为一场革命，它需要像英飞凌这样的合作伙伴。为应用量身定制的产品、我们自己的生产能力、全面的技术组合和对系统的理解:这四大基石使我们成为功率半导体的市场领导者。我们希望并将通过我们的SiC产品组合实现这一目标。”

新的1200 V SiC mosfet经过优化，结合了高可靠性和高性能。它们显示的动态损耗比1200 V硅(Si) igbt低一个数量级。首批产品将首先支持即将到来的系统挑战，如光伏逆变器、不间断电源(UPS)和充电/存储系统。在不久的将来，新的配置还将为工业驱动、医疗技术或铁路部门的辅助电源提供革命性的新解决方案。

1200 V SiC MOSEFT的沟槽技术的一个主要优势在于扩展的稳健性。这是由于较低的失效时间(FIT)率和短路能力，可以适应各自的应用。由于阈值电压(V th)为4v，推荐的接通阈值(V GS)为+ 15v，晶体管可以像IGBT一样控制，并在发生故障时安全关闭。SiC mosfet可实现非常快的开关瞬态。此外，英飞凌的技术还可以通过栅极系列电阻器轻松调节瞬态。因此，可以很容易地优化EMC行为。

早在去年，英飞凌就发布了领先产品EASY 1B(半桥/助推器)以及分立TO-247-3pin和-4pin解决方案。EASY 1B平台建立良好，是快速交换器件的理想模块平台。在今年的PCIM展会上，英飞凌将展示基于1200 V SiC MOSFET技术的其他模块平台和拓扑结构。这一步一步地扩展了CoolSiC mosfet的性能范围。其中，英飞凌展示了以下SiC模块:

• EASY 1B具有B6 (6 - pack)拓扑结构:该模块具有经过验证的英飞凌模块配置，导通电阻(R DS(ON))仅为45 mΩ。集成体二极管确保低损耗的自由旋转功能。EASY 1B适用于驱动，太阳能或焊接技术领域的应用。
• EASY 2B与半桥拓扑:这个更大的EASY设备提供了一个增强的性能，每个开关的R DS(ON)为8 mΩ。低电感模块的概念是理想的应用大于50千瓦和快速开关操作。这些包括太阳能逆变器、快速充电系统或不间断电源解决方案。
• 62 mm半桥拓扑:额外的半桥配置具有更高的功率，每个开关功能的R DS(ON)为6 mΩ。该模块平台为中功率范围内系统的低电感连接提供了可能。各种各样的应用都利用了这一点，包括医疗技术或铁路部门的辅助电源，仅举几例。由于有大量可能的应用，英飞凌预计该模块将迅速普及。

可用性

PCIM 2016上推出的主导产品EASY 1B和两个分立器件TO-247-3pin和-4pin将在今年逐步进入量产阶段。EASY 1B的半桥配置现在可用。它的市场发布由各种驱动模块和演示板支持，这些也从现在开始提供。新产品配置可作为样品，并计划于2018年开始批量生产。更多信息请访问www.infineon.com/coolSiC．

英飞凌在PCIM 2017上

在PCIM 2017展会上，英飞凌将展示工业、消费和汽车应用领域高效系统的领先技术。英飞凌为能源智能世界提供动力的演示将在9号馆412号展位(2017年5月16日至18日，德国纽伦堡)展出。有关PCIM展会亮点的信息可在www.infineon.com/pcim．