信号完整性日志
www.lambexpress.com/articles/2630 designcon - 2022 ddr4 - 3200 -基于fpga的系统——插入器-权力意识到- si -模拟- -测量相关性
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基于DDR4-3200 FPGA的插接功率感知SI测量相关仿真系统

2022年7月5日

联合电子设备工程委员会(JEDEC)标准将DDR4的最大速度定义为每秒3200兆传输(MT/s),尽管第一个DDR4-3200现场可编程门阵列(FPGA)内存控制器刚刚以这种速度与一个无缓冲(或未注册)双内联内存模块(UDIMM)接口可用。在仿真中有效地建模具有同步切换输出(SSO)的DDR4-3200通道,进一步挑战是确保在超低1E-16误码率下实现大开眼界的DQ符合规范。

由于DDR4-3200边缘速率小于100 ps,对信号完整性工程师来说,建模高速并行总线存储器接口已成为一个挑战,而当只研究带有注入抖动的SI模型时,跨多个板建模更具挑战性。更重要的是,为了确保更高的建模保真度,PDN和VRM必须看到SSO/SSN在DDR4系统中造成噪声的影响。通过在系统模型中包含这些其他组件,可以实现功耗感知SI仿真。

问题是,功率感知SI仿真模型对首批DDR4-3200 FPGA内存控制器之一的DDR4-3200的测量有多准确?我们如何在模拟中解释测量探针加载模型?相声如何影响DDR4-3200?我们如何有效地建模,并将功耗感知SI模型与测量相关联?这项工作的目的是使用首批DDR4-3200 FPGA内存控制器之一,Xilinx Versal接口到UDIMM,以展示一种将信号完整性模拟精确关联到测量的方法。使用相关模型是确保满足电压和时序规范的关键。除了端到端系统级分析外,所有设计参数都将通过直接测量进行验证。将分享一个模型相关过程,以突出这些测量的最佳实践。

这项研究工作结合了使用Keysight ADS的功率感知SI模拟和来自罗德与施瓦茨测试设备的测量,以及来自EyeKnowHow的DDR4插入器,以展示如何在DDR4-3200开发周期中提高设计裕度,同时,研究SSN对DDR4-3200功率感知SI模型的影响。

它还分析了功耗感知模拟和测量,以验证首批DDR4-3200 FPGA内存控制器之一的设计性能,同时验证该设计的电气性能符合JEDEC规范。这些功耗感知模拟将研究SSN/SSO的影响,同时消除测量过程中探针加载和去除插入物的影响。

此外,本文还研究了供应商模型、从3D现场求解器中提取的EM模型和IBIS模型,并展示了正确模拟这些模型的注意事项,最后给出了相同模拟DDR4-3200模型的实际测量相关性。

该论文在2022年设计展上发表。在这里下载完整的PDF文件

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