理查德森RFPD引入GaN系统的650 V GaNPX®封装功率晶体管

理查森RFPD公司宣布了两个650 V e模式氮化镓晶体管的可用性和完整的设计支持能力GaN系统公司

的GaN晶体管GS-065-060-3-B/T提供低R_DS(上)(25 mΩ)，具有60 a IDS额定值和GaN Systems的Island Technology®电池布局，可实现高电流芯片性能和良率。该器件具有更新的设计，并提供氮化镓px在小封装中实现低电感和低热阻的封装。

GS-065-060-3-B是底部冷却的;GS-065-060-3-T是顶部冷却的。两者都提供低结壳热阻，适用于要求苛刻的高功率应用，包括太阳能逆变器、储能系统、车载充电器、不间断电源、工业电机驱动器和无线电力传输。

GaN晶体管的其他关键特性包括:

• 我_{DS (max)}: 60 a
• 超低流分布
• 简单栅极驱动要求(0 V至6 V)
• 瞬态容限栅极驱动(-20 / +10 V)
• 高开关频率(> 10mhz)
• 快速和可控的下降和上升时间
• 反导能力
• 零反向恢复损失
• 占用空间小
• 双栅极垫优化板布局