IBIS 7.1为信号完整性工程师提供了大量改进

2019年，IBIS (I/O缓冲信息规范)7.0的批准为IBIS带来了急需的包建模功能改进。这些更改是在IBIS更改请求文档中提出的BIRD189.7。增加了对各种包模型的支持试金石和IBIS-ISS(IBIS Interconnect SPICE子电路，用于互连的Synopsys®HSPICE的子集)格式。

电子设计自动化(EDA)工具可以以最小的努力导入和使用这些模型，使信号完整性工程师的工作在设置仿真时变得更加容易。IBIS 7.0还增加了对I/O缓冲器和模垫之间的片上互连模型以及复杂的片上供电网络模型的支持。

有人可能认为至此所有的包建模限制都解决了;然而，一个主要的限制留给了下一个版本的IBIS来解决。这种限制是对IBIS早期版本中内置的信号路径的一对一封装引脚到I/O缓冲区连接的假设。实际上，这意味着你不能模拟大多数多晶片封装，比如堆叠存储器。

IBIS互连任务组在接下来的两年里创建了称为电气模块描述(EMD)的建模解决方案;作为IBIS变更请求文档发布BIRD202.3。EMD不仅解决了前面描述的封装模型限制，而且还完全取代了过时的IBIS电气板描述(EBD)模型格式。

EBD最初是在IBIS 3.0中引入的，并且已经使用了二十年来对多模封装、电路板和模块进行建模。EBD极大地限制了连接性和电气建模。使用EMD，可以使用广泛可用的Touchstone或IBIS-ISS文件对图1中所示的DDR4注册DIMM (RDIMM)进行建模。

可以对从边缘连接器到寄存器的印刷电路板走线以及从寄存器路由到DRAM组件的后寄存器网络进行建模。EMD还可用于对RDIMM上的任何堆叠芯片DRAM组件进行建模。使用EMD，模型制作者还可以灵活地划分跟踪模型，以平衡串扰和配电网络(PDN)需求与影响最终仿真速度的模型大小和复杂性。

IBIS算法建模接口(IBIS- ami)的几个增强功能支持对最新高速DDRx接口中发现的均衡特性的描述。此外，还增强了IBIS-AMI“反向通道”链路训练协议，增加了对基于统计的缓冲区均衡设置优化的支持。

另一个特性支持简化的片上PDN模型。新版本包括其他技术和编辑方面的改进，提供了比IBIS 7.0版本更大的进步。在随后发布的官方IBIS语法解析器软件中，IBISCHK7.1.0，模型制造商可以开始升级模型以支持所有功能。更好的是，EDA工具供应商已经宣布支持IBIS 7.1。