EiceDRIVER™1EDN71x6G HS 200V单通道栅极驱动器gydF4y2Ba

中压氮化镓(GaN)开关的研发努力和成本最小化以及稳健高效的运行是现代电力电子系统的关键要求。根据其战略性设计的GaN产品组合，不断加强完整的系统解决方案，gydF4y2Ba英飞凌科技股份有限公司gydF4y2Ba介绍EiceDRIVER™1EDN71x6G HS 200V单通道栅极驱动ic系列。该产品系列旨在提高CoolGaN™肖特基栅(SG) hemt的性能，但也与其他GaN hemt和硅mosfet兼容。栅极驱动器的目标是广泛的应用，包括DC-DC转换器，电机驱动器，电信，服务器，机器人，无人机，电动工具和D类音频放大器。gydF4y2Ba

1EDN71x6G变体具有可选择的上拉和下拉驱动强度，支持波形和开关速度优化，而无需栅极电阻。这导致更小的功率级布局与更少的BOM组件。最强/最快的驱动变体(1EDN7116G)适用于具有显著并行性的半桥配置。最弱/最慢驱动变体(1EDN7146G)可用于一些dv/dt限制应用，如电机驱动或非常小的GaN(高rgydF4y2Ba_{DS(上)gydF4y2Ba}，低QgydF4y2Ba_ggydF4y2Ba) HEMTs。每个变体还具有不同的消隐时间，与最小推荐死区时间、最小脉冲宽度和传播延迟成正比。gydF4y2Ba

真正的差分逻辑输入(TDI)功能消除了低侧应用中由于地面反弹而误触发的风险，使1EDN71x6G甚至可以解决高侧应用。此外，所有的变型都有一个主动米勒钳，具有特别强的下拉，以避免诱导打开。这为栅极驱动环路提供了额外的鲁棒性，特别是在驱动具有高米勒比的晶体管时。gydF4y2Ba

此外，1EDN71x6G提供主动引导箝位，以避免在死区期间引导电容过充。这提供了自举供电电压调节，保护高侧晶体管的栅极，而不需要额外的调节电路。可选的可编程电荷泵具有可调的负关断电源，当需要时，例如当PCB布局不能完全优化时，还提供额外的米勒诱导导通抗扰度。gydF4y2Ba

EiceDRIVER HS 200 V单通道栅极驱动ic 1EDN7116G, 1EDN7126G, 1EDN7136G和1EDN7146G适用于CoolGaN SG hemt，现在可以订购PG-VSON-10封装。gydF4y2Ba