OptiMOS™Source-Down (SD)功率mosfet

高功率密度、优化性能和易用性是设计现代电力系统的关键要求。为终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案，英飞凌科技股份有限公司推出最新一代OptiMOS™Source-Down (SD)功率mosfet。它们采用PQFN 3.3 x 3.3毫米²封装和宽电压等级范围从25v到100v。该封装设定了功率MOSFET性能的标准，提供更高的效率，更高的功率密度，改进的热管理和低物料清单(BOM)。PQFN适用于电机驱动、服务器、电信和网络的SMPS以及电池管理系统等应用。

与标准的Drain-Down概念相比，最新的Source-Down封装技术可以在相同的封装轮廓下实现更大的硅晶片。此外，封装带来的损耗，限制了器件的整体性能，可以减少。这使得R减小_DS(上)与最先进的排水方案相比，减少了多达30%。在系统层面上的好处是外形尺寸的缩小，有可能从5 x 6 mm的SuperSO8移动²占地面积为PQFN 3.3 x 3.3 mm²包装空间减少约65%。这样可以更有效地利用可用空间，提高终端系统的功率密度和系统效率

此外，在Source-Down概念中，热量通过热垫直接散发到PCB中，而不是通过键合线或铜夹。这提高了热阻R_thJC降低了20%以上，从1.8 K/W降至1.4 K/W，从而简化了热管理。英飞凌提供两种不同的尺寸版本和布局选择:SD标准栅极和SD中心栅极。标准栅极布局简化了漏排封装的插入式替换，而中心栅极布局实现了优化和更容易的并行化。这两种选择可以带来PCB中最优的器件排列，优化PCB寄生，并且易于使用。

OptiMOS Source-Down功率mosfet现已提供PQFN 3.3 x 3.3 mm尺寸²封装，从25到100 V的广泛电压等级，以及两种不同的足迹版本。更多信息请访问www.infineon.com/source-down。