碳化硅器件和电源模块

Microchip Technology Inc.宣布扩大其更小、更轻、更高效的产品组合SiC电源模块。Microchip凭借其广泛的微控制器(mcu)和模拟产品组合，为高功率系统控制、栅极驱动和功率级支持客户提供整体系统解决方案。

碳化硅(SiC)半导体是提高系统效率、支持更高工作温度和降低电力电子设计成本的创新选择。它们可广泛用于工业，汽车，医疗，航空航天，国防和通信细分市场的高压，高功率应用。我们的下一代SiC mosfet和SiC肖特基势垒二极管(sbd)设计具有高重复非箝位电感开关(UIS)能力和出色的栅极氧化物屏蔽和通道完整性，可实现稳健的运行。我们的SiC MOSFET和SiC SBD芯片可以配对用于具有各种拓扑结构的功率模块。

SiC器件和电源模块

• 提高系统效率，降低开关损耗
• 对于类似的功率拓扑，更高的功率密度
• 更高的工作温度
• 减少冷却需求，更小的过滤器和被动
• 更高的开关频率
• 在额定电压下，中子磁化率的失败率(FIT)比同类绝缘栅双极晶体管(igbt)低10倍
• 在SiC模块中，< 2.9 nH的极低寄生(杂散)电感

碳化硅器件如何解决您的设计难题?

• 广泛的700V和1200V电压范围，以支持各种应用和市场
• 与硅相比，更高的SiC功率密度可以实现更小的磁性，变压器，滤波器和无源，从而实现紧凑的外形
• SiC产品可以与其他Microchip器件(包括8位、16位和32位微控制器、电源管理器件、模拟传感器、触摸和手势控制器以及无线连接解决方案)相结合，以创建一个完整的系统并降低整体系统成本

有关更多信息，包括定价，请联系Microchip销售代表，授权的全球经销商或访问Microchip的SiC产品组合网站。要购买这里提到的产品，请联系Microchip授权经销商。