瑞萨电子推出用于卫星电源应用的抗辐射单芯片同步降压和低差稳压器

瑞萨电子公司针对低功耗fpga, DDR存储器和其他航天有效载荷应用的数字负载，宣布了低差(LDO)调节器。ISL70005SEH是唯一的负载点(POL)电源解决方案，通过在一个单片IC中集成同步降压和LDO来减小尺寸、重量和功率(SWaP)。该器件使卫星制造商能够减少中地球轨道(MEO)和地球同步地球轨道(GEO)长时间任务剖面的物料清单(BOM)和电源占用空间。

ISL70005SEH硬硬双输出POL稳压器结合了95%的高效率与同步降压稳压器和低75mV LDO稳压器。该器件使3.3V或5V电源总线的系统更容易进行热管理，并且可以支持降压稳压器3A连续输出负载电流和LDO的±1A输出负载电流。降压稳压器采用电压模式控制架构，并在100kHz至1MHz的电阻可调频率下切换，从而实现更小的滤波器尺寸。

瑞萨电子工业和通信事业部副总裁Philip Chesley表示:“ISL70005SEH为卫星制造商提供了卓越的辐射性能，节省了SWaP和BOM。我们的双输出POL稳压器还提供可配置性，以解决商业电信卫星、军事卫星通信卫星以及科学和探索任务中的多种应用。”

空间级ISL70005SEH简化了设计配置，使设计人员可以将其用作射频应用的双输出稳压器，DDR存储电源解决方案或高效低噪声稳压器。柔性LDO可以输出和吸收电流，并能接受低至775mV的输入电压，从而降低功耗。buck上的外部可调回路补偿使用户能够实现稳定性和输出动态性能的最佳平衡。该器件在高剂量率(HDR)下的晶圆验收测试为100krad(Si)，在低剂量率(LDR)下的ELDRS测试为75krad(Si)。单事件效应(SEE)测试表明，在高达86MeV*cm的线性能量传递(LET)下，没有单事件闭锁(SEL)和单事件燃尽(SEB)²/毫克。单事件瞬态(set)的LET范围为8.5 ~ 86MeV*cm²/毫克。

ISL70005SEH双输出POL调节器的主要特点

• 同步降压Vin范围3V ~ 5.5V
• LDO的Vin范围为600mV + V_做vcc - 1.5 v
• 1%基准电压精度
• 单独的V_在，使能，软启动和电源良好指示
• LDO在150µF时稳定;输出电容比竞争解决方案少3倍
• 全军用温度范围-55℃~ +150℃

ISL70005SEH是一款适用于FPGA核心和I/O导轨的单芯片电源解决方案，可与瑞萨电子模拟信号链ic结合使用，创建卫星遥测解决方案:ISL70444SEH40V四路运算放大器，ISL71840SEH30V 16通道多路复用器，ISL70591SEH 100µA精密电流源和ISL71090SEH121.25V精密基准电压。

ISL70005SEH还与瑞萨电子的其他电源管理ic相结合，形成一个完整的电源解决方案，包括冗余、保护和高处理fpga的排序:ISL70061SEH10A PMOS负载开关;ISL70321SEH四路电源定序器;ISL75051ASEH3A LDO，和ISL70003ASEH一个降压调节器。

可用性

ISL70005SEH抗辐射双输出POL稳压器目前采用28引脚陶瓷双平板封装或模具形式。提供评估板，用于评估设备的特性和性能。欲知详情，请浏览:www.renesas.com/products/ISL70005SEH．