EPC2051为电力系统设计人员提供了一个100 V, 25 mΩ,功率晶体管,能够在一个非常小的芯片级封装中实现37 a脉冲。这些新器件是48V电源转换器、激光雷达和LED照明等应用的理想选择。

高效电源转换EPC)宣布EPC2051,一个100 V GaN晶体管,具有最大RDS(上)25 mΩ和37 a脉冲输出电流,在微小的1.1mm内进行高效功率转换2足迹。

要求更高效率和功率密度的应用程序不再需要在尺寸和性能之间做出选择。的EPC2051措施就1.30 mm × 0.85 mm2)。尽管占地面积小,但在50v - 12v buck变换器中运行时,该器件的性能较好EPC2051达到97%的效率在4 a输出,同时切换在500千赫。此外,成本低廉EPC2051使GaN fet的性能与硅mosfet的价格相当。受益于这种性能、小尺寸和低成本的应用包括用于计算和电信系统的48v输入电源转换器、激光雷达、LED照明和d类音频。

“基于eGaN的功率器件在高频下高效运行的能力扩大了与硅的性能和成本差距。100v,EPC2051它比最接近的硅MOSFET小30倍,”EPC首席执行官Alex Lidow说。

开发板

EPC9091开发板是一种最高电压为100v的器件,具有半电桥的特点EPC2051, UP1966A门驱动器来自uPI半导体。这2“x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)板设计用于优化开关性能,并包含所有关键组件,便于评估100vEPC2051伊根场效应晶体管。

价格和供应情况

EPC2051eGaN FET的1K单元定价为0.67美元,100K单元定价为0.37美元EPC9091每块开发板的价格为118.75美元。

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