Microsemi公司，今日宣布极低电感封装专用于大电流，低比导通电阻(RDSon)碳化硅(SiC) MOSFET功率模块。新的包装，专门为该公司的SP6LI系列产品，设计提供2.9纳亨利(nH)杂散电感，适用于SiC MOSFET技术，实现大电流、高开关频率和高效率。采用新包装的SP6LI电源模块，以及Microsemi现有产品系列的其他SiC电源模块，将于6月5日至7日在6号展厅318展位展出2018年欧洲PCIM，在德国纽伦堡展览中心举行。
随着Microsemi的不断扩大碳化硅的解决方案，它已成为为数不多的向市场提供一系列Si/SiC功率分立和模块解决方案的供应商之一。Microsemi的SP6LI产品系列是专用于大电流SiC MOSFET功率模块的最低杂散电感包之一，具有五个标准模块，提供相腿拓扑结构，从1200伏(V)， 210安培(A)到586 A，在盒温(Tc)为80摄氏度到1700伏，207 A，在Tc为80摄氏度。新封装提供更高的功率密度和紧凑的外形，可实现更低数量的模块并行实现完整的系统，帮助客户进一步缩小设备尺寸。
Microsemi的SP6LI电源模块可用于开关模式电源和电机控制在各种各样的工业，汽车，医疗，航空航天而且国防应用程序。例子包括电动汽车/混合动力电动汽车(EV/HEV)动力总成和动能回收系统(KERSs);飞机作动系统；发电系统;开关模式电源，用于感应加热、医疗电源和火车电气化等应用;光伏(PV)/太阳能/风力转换器以及不间断电源(UPS)。
Microsemi分立和电源管理业务部门副总裁兼业务部门经理Leon Gross表示:“我们的超低杂散电感标准SP6LI封装是提高SiC mosfet性能的理想选择，适用于高开关、大电流和高效率应用，提供更小尺寸的电源系统解决方案，可以帮助客户显著降低设备需求。”“我们低电感封装的这些优越开关特性使客户能够开发更高性能和高可靠性的系统，以帮助他们在竞争中脱颖而出。”
根据市场研究公司Technavio的数据，到2021年，用于半导体应用的全球SiC市场预计将达到近5.405亿美元，复合年增长率(CAGR)超过18%。此外，IHS Markit的研究表明，到2025年，SiC mosfet的收入预计将超过3亿美元，几乎达到肖特基二极管的水平，成为第二大最畅销的SiC离散功率器件类型。
Microsemi的SP6LI电源模块具有由SiC功率mosfet和SiC肖特基二极管制成的相腿拓扑结构，并提供极低的RDSon，每个开关可降至2.1 mOhms，以及用于温度监测的内部热敏电阻。他们还提供信号和电源连接的螺旋端子，以及隔离和高导热基板(硝酸铝作为标准和氮化硅作为选项)，以提高热性能。此外，标准的铜底座可以被铝碳化硅(AlSiC)材料替代，从而实现更高的功率循环能力。
其他主要功能包括:
- 基于相腿拓扑的多sic MOSFET和二极管芯片组装优化布局
- 对称设计，每个开关可并行接受多达12个SiC MOSFET芯片;
- 每个模具与自己的栅极串联电阻并联，以实现均匀电流平衡;
- 高电流能力高达600 A在非常快的开关频率;而且
- 可选的装配材料组合，以更好地满足不同的市场和应用。
6月5日至7日，PCIM在6号厅318展位展示
Microsemi的产品专家将在展会期间在PCIM的展台上展示其下一代SiC解决方案，包括其新的低电感SiC SP6LI电源模块。此外，该公司最近宣布的下一代1200V, 40 mOhm SiC MOSFET器件和1200V, 10/30/50A SiC二极管产品将与功率因数校正(PFC)参考设计一起展示。欲了解更多信息或要求在展会上会面，请访问https://www.microsemi.com/details/346-pcim-europe．
产品可用性
SP6LI产品系列现在正在采用低电感封装进行采样。更多信息，请访问https://www.microsemi.com/product-directory/silicon-carbide-sic/4995-sic-power-modules或联系sales.support@microsemi.com．