Teledyne e2v正在推出基于pSemi(前身为Peregrine Semiconductor)和GaN Systems技术的完整GaN电源解决方案。该解决方案具有GaN fet和业界首款耐辐射半桥功率驱动器，适用于GaN高可靠性应用。该技术将于2018年3月12日至15日在Teledyne国防电子展台(#619)进行演示。

氮化镓器件已经彻底改变了其他行业的功率转换，现在可用作耐辐射的空间合格器件。这些GaN fet和业界的半桥GaN驱动器的发布最终提供了卫星系统关键功率应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。该设备原型现在可以购买。

Teledyne的陶瓷TDG100E15 100V 15A FET和TDG100E30 100V 30A FET都采用了GaN Systems的专利岛技术®，这是一种可扩展的垂直电荷耗散系统，可为功率晶体管提供超低热损耗、高功率密度、无电荷存储和非常高的开关速度。使用行业标准SMD 0.5陶瓷封装可以实现非常高的频率开关，出色的热特性，并缩短上市时间。

GaN解决方案的第二部分是业界最快的半桥GaN驱动器，基于pSemi的UltraCMOS®技术。Teledyne TD99101 25 MHz GaN驱动器具有坚固的设计，适合在包括太空在内的恶劣环境中运行。该器件包含高侧和低侧GaN驱动器，能够提供1A电流和消耗2A电流。此外，它被设计用于基于GaN系统的Teledyne部件所需的极低延迟和高切换速度。TD99101是唯一能够获得Teledyne TDG100E GaN fet最高性能和速度优势的驱动器。

为了便于实现Teledyne的GaN技术，TD99101-x00评估套件可用，它具有TD99101 GaN驱动器和TDG100E15 100V, 15A GaN FET。评估套件的工作频率高达13 MHz，允许客户快速评估Teledyne的GaN部件。

这两种设备都是耐辐射的，适用于太空应用，现在已经有了陶瓷包装的原型。它们是在MIL-PRF-38535级v型流上制造的。

Teledyne e2v业务发展副总裁Mont Taylor表示:“Teledyne e2v拥有令人自豪的航天产品传统，我们很高兴能为客户带来前所未有的GaN电源效率。“这些设备的广泛功能使设计工程师能够创建高效的电源和电机控制应用程序，这些应用程序可以在辐射环境中运行。”

如需更多信息，请访问www.teledyne-e2v.com．