Keysight科技有限公司(纽交所代码:KEYS)今天宣布了其第三代P9000系列大型并行参数测试系统．该系统加速了新技术的快速发展，并降低了先进半导体逻辑和存储ic开发和制造中的测试成本。例如，随着新型器件结构和更高的性能，每个先进技术节点(小于或等于20nm)所需的参数化测试数据量正在急剧增加。
当P9000推出时，它通过使用专用的每针测试单元模块，实现了硅片上多个设备的100针并行测量。该模块具有参数测试所需的所有典型测量功能(例如，电压、电流、电容、脉冲和频率)。此外，直接充电测量(DCM)技术实现了快速的100针并联电容测量。
第二代P9000包括Keysight开发的Vt快速测量技术。Vt快速测量技术提供了阈值电压(Vt)的单次测量，速度比任何常规测试方法快四倍以上。除了100针并行测量外，DCM和快速Vt测量技术还提供了更快的单参数测量，从而进一步提高了测试速度。因此，先进的代工和存储器公司已经采用P9000平台(第一代和第二代)作为他们的下一代参数测试解决方案。
随着Keysight p9015a第三代p9000的引入——采用新的每针参数测试模块——测试仪进一步缩短了电容测量的时间，以解决由于多层互连和新的器件结构而导致的电容测试体积增加的趋势。新模块通过使用其增强的DCM技术实现了泄漏电容的测量，并使单电容测量速度加快两倍以上，与传统的LCR仪表相比，各种类型的电容具有良好的数据相关性。此外，电容测量的100针并行能力允许客户实现进一步的吞吐量提高。
Keysight晶圆测试解决方案副总裁兼总经理Masaki Yamamoto表示:“数百台P9000已经被许多半导体公司用于研发和量产，例如先进的逻辑晶圆代工厂和内存制造商。”“Keysight继续改进P9000，以进一步缩短客户的上市时间，降低测试成本。第三代P9000提供了最快的并行参数测试解决方案，具有100脚，'TRUE'参数每脚模块，甚至与传统测试系统中使用的测试结构相同。”
更多关于P9000的信息，请访问www.keysight.com/find/p9000．解决方案的图像可在www.keysight.com/find/p9000-images．