Keysight科技有限公司(纽约证券交易所代码:KEYS)今天宣布了一种用于自旋传递扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的磁隧道结(MTJ)表征解决方案，以克服传统机架和堆栈基础测试环境的挑战。Keysight的新NX5730A高通量1ns脉冲IV内存测试方案是一个专门的解决方案，为研究人员和工程师与表征MTJ器件在硅片。

STT-MRAM作为首选的下一代高性能非易失性存储器(如用于移动和存储设备的存储器)正受到广泛关注。MTJ是STT-MRAM最重要的组成部分，快速准确地描述MTJ是实现公司上市时间目标的关键成功因素。

NX5730A能够对开关MTJ施加精确、高速的脉冲电压(脉冲宽度可达1ns)，并能准确、快速地测量开关前后MTJ的电阻。除了电阻测量，NX5730A还允许工程师在写入脉冲期间清晰地捕获和可视化MTJ开关波形，即使脉冲宽度非常窄(低至1ns脉冲)。NX5730A允许用户在一个解决方案中准确快速地执行所有典型的MTJ特性测试。这包括bert、耐久测试、不同电压和写入脉冲宽度下的开关特性、通过可视化开关波形评估开关时间以及直流测试(例如，电阻-电压特性)。Keysight还提供定制支持，以控制电磁铁设备的特性与磁场。

Keysight晶圆测试解决方案总经理Masaki Yamamoto表示:“Keysight的新NX5730A源于与东北大学创新集成电子系统中心(CIES) STT-MRAM活动的合作，该活动在2015年3月宣布了成功的结果。”“我们的客户在传统的基于机架和堆栈的测试环境下，在MTJ表征方面遇到了一些挑战，例如耗时的BERT，不准确的写入电压和高速脉冲IV的困难，例如1 ns脉冲宽度。NX5730A直接响应了我们客户对MTJ特性的需求，并且NX5730A已经用于多个内存研究设施，包括CIES。此外，在CIES和Keysight的合作下，Keysight不断开发其先进的技术。”

NX5730A通过1)系统级调整和专用系统设计，以及2)Keysight在射频测量和系统集成方面的专业知识，实现准确的特性描述。通过更快的测量和优化的系统控制，NX5730A的bert速度提高了大约10到100倍。NX5730A软件允许客户只需要几个步骤就可以执行所有典型的MTJ测试。NX5730A被设计成与半自动探针到全自动探针相结合，使其成为STT-MRAM研究早期生产的理想选择。

NX5730A的相关信息请访问www.keysight.com/find/nx5730．解决方案的图像可在www.keysight.com/find/nx5730-images．更多信息请访问www.keysight.com．