Yole dsamopement (Yole)预计到2022年，IGBT市场将超过50亿美元，主要增长来自IGBT电源模块。SiC和GaN材料的高性能已经为硅基IGBT创造了一个战场。为了克服这个问题，Si IGBT制造商需要寻找及时的解决方案，在技术上更新他们的系统，以提高效率或增加他们的IGBT产品组合。
针对不同的应用，IGBT市场是如何发展的?IGBT市场将如何面对高性能WBG器件的采用?Yole的电力电子团队今天向您提出一份新的技术和市场报告，题为2017年IGBT市场和技术趋势报告。Yole的报告概述了IGBT市场，包括详细的预测和专注于储能系统的新应用部分。这一分析也显示了竞争格局的现状。
“More than Moore”市场研究和战略咨询公司宣布，IGBT市场代表着未来几年非常有前途的赌注:其分析师邀请您发现最新的IGBT技术趋势和市场挑战。“IGBT行业将遵循电力电子的增长模式，这主要是由于汽车市场的高产量，特别是电动汽车/混合动力汽车动力系统的电气化。”断言Dr . Ana Villamor，技术与市场分析师，Yole dsamuvelment电力电子。电动汽车/混合动力汽车行业具有巨大的增长前景，因为它仍然是一个具有巨大销量潜力的新兴市场。
IGBT的另一个大领域显然是电机驱动，由于积极的监管目标，它一直在增长。Yole d阴郁预测，从2016年到2022年，电机驱动器的复合年增长率为4.6%。光伏和风能是非常有活力的市场，在过去的几年里安装了大量的装置。值得一提的是，中国在2016年引领了太阳能电池板的实施，安装了令人印象深刻的35吉瓦。
“SiC的一些应用将影响IGBT市场，例如，它极有可能接管汽车市场。”评论Ana Villamor博士。但是，igbt在电力电子领域的市场占有率不会被完全取代。”
事实上，即使IGBT几乎已经达到了它的技术极限，新设计和新材料仍然可以用来提高系统性能，以克服WBG器件的到来。未来几年，将有来自英飞凌、富士或ABB的新IGBT设计进入市场。不同的制造商正在改进封装，以减少寄生并提高系统效率。一个明显的例子是引入离散IGBT的嵌入式技术和IGBT模块的覆盖解决方案，以减小尺寸或增加功能密度。
目前，IGBT制造商可以在其产品组合中拥有从400 V到6.5k V的宽电压范围，400 V的IGBT将直接与mosfet竞争，而电压高于600 V的IGBT将与SJ mosfet和WBG器件竞争，后者比IGBT具有优势。由于与mosfet相比，低压igbt没有显示出任何优势，因此不会开发。
由于igbt是一项成熟的技术，供应链已经建立良好，在每个层面都有强大的合作伙伴关系和公司。
“因此，我们在2015年报告中纳入的主要IGBT制造商仍然在IGBT畅销产品中，除了安森美半导体，该公司在2016年底收购仙童后成为五大IGBT供应商之一”，Ana Villamor博士解释道。“然而，越来越多的公司正在进入IGBT市场，以获取附加值，比如Littelfuse，该公司刚刚宣布了这项协议IXYS公司的收购”。
关于IGBT报告的详细说明可在电力电子报道。