Microsemi公司(纳斯达克股票代码:MSCC)，一家领先的半导体解决方案供应商，在功率，安全性，可靠性和性能方面有所不同，今天宣布成为PowerAmerica-由半导体行业、美国能源部、国家实验室和学术界的公共和私人代表组成的制造机构，以加速宽带隙半导体的商业化和采用。Microsemi获得了一份合同，这是美国能源部在五年内为PowerAmerica提供的7000万美元支持的一部分，该合同用于促进采用美国制造的先进半导体组件碳化硅和氮化镓(GaN)进入广泛的产品和系统。

Microsemi在PowerAmerica的角色将特别专注于支持1.7千伏(kV)和3.3千伏的商业化SiC场效电晶体和SiC肖特基二极管因为它正在开发下一代设备。1.7 kV和3.3 kV器件的主要优点包括更高的效率、高温/高压工作稳定性、更好的功率处理和更小的外形，将扩大SiC技术的应用范围。理想的工业和航空航天市场，以及国防这些设备的目标应用包括汽车电气化、铁路应用(牵引);航空航天作动系统发电和配电;太阳能逆变器，马达驱动还有电磁轨道炮。

“我们很高兴我们在SiC市场的领导地位以及我们对这项技术的投资得到了PowerAmerica领导层的认可，我们很高兴能够利用我们的专业知识与这个有才华的联盟合作，”Microsemi的电源分立和模块业务部副总裁兼业务部门经理Leon Gross说。“作为为数不多的服务于这个市场的供应商之一，美高森美期待提供具有成本效益的最先进的1.7 kV和3.3 kV SiC器件，这些器件能够通过6英寸代工厂快速批量扩展，交货时间短，最终为客户带来更快的设计周期。”

与Power America的合作使Microsemi能够扩展其能力，提供与航空航天应用相同的高级系统集成智能电源解决方案(IPS)比如电源核心模块(PCM)和混合动力传动．PowerAmerica将全球领先的宽带隙半导体制造商、材料供应商和最终用户与顶尖研究型大学和政府机构的专家聚集在一起，不仅可以降低成本，还可以提高宽带隙器件和集成SiC和GaN技术的系统的性能和可靠性。作为该机构的成员，Microsemi可以访问多达11个大学研究项目、3个联邦合作者和10多家致力于发展宽带隙技术的初创公司，重点是在美国劳动力中建立技术。

PowerAmerica副执行董事兼首席技术官Victor Veliadis博士表示:“Microsemi在开发高可靠性半导体解决方案方面的60年经验，加上其对创新、引领和适应快速变化的环境的持续承诺，将有助于加速SiC在电力电子行业的采用。”“PowerAmerica很自豪能与Microsemi合作，将其1.7 kV SiC工艺过渡到大批量斜坡，并开发3.3 kV设备，这对牵引和高压直流(HVDC)电网应用至关重要。”

根据市场研究公司IHS Markit Technology的数据，预计2021年碳化硅功率器件市场将达到约14亿美元，从2015年到2021年的复合年增长率(CAGR)为38%。该公司还描述了碳化硅的好处如何影响新终端产品的开发。Microsemi在这些趋势中处于有利地位，其SiC mosfet和二极管具有优于传统硅功率器件的动态和热性能，以及其他优势。

Microsemi的1.7 kV和3.3 kV SiC器件的主要特性包括:
•在175摄氏度下高度可靠
•通过AEC-Q101认证
•特定的Rds(on)目标小于7 μ m。对于1.7 kV mosfet，是市场上现有产品中已知的最低的
•雪崩能量额定值(UIS)超过15J/cm2，使该器件高度坚固，适用于工业和汽车应用，是目前已知的1.7 kV SiC MOSFET的最高UIS额定值
•抗短路时间(SCWT)为~5us，是目前1.7 kV设备中最长的抗短路时间，可确保在故障条件下安全运行/关闭


Microsemi目前的SiC产品组合具有许多优势，包括在相同的物理尺寸下提高系统效率，功率输出增加25- 50%，在绝缘栅双极晶体管(igbt)更高开关频率下的效率，减小系统尺寸和重量，在温度(+175℃)下的工作稳定性以及显着的冷却成本节约。有关公司在SiC半导体方面的专业知识的更多信息，请访问http://www.microsemi.com/product-directory/discretes/3613-silicon-carbide-sic．