Microsemi公司是一家领先的半导体解决方案提供商，以功率、安全性、可靠性和性能为特色Analog Devices公司全球领先的高性能模拟技术公司，宣布了可扩展的碳化硅(SiC)驱动器参考设计解决方案，该方案基于一系列Microsemi SiC MOSFET产品和analog Device的ADuM4135 5KV隔离门驱动器。双SiC MOSFET驱动器参考设计提供了用户友好的设计指南，为使用Microsemi SiC MOSFET的客户提供了更快的上市时间，并支持向Microsemi下一代SiC MOSFET的过渡。
新的参考设计为客户提供了一个高度隔离的SiC MOSFET双门驱动开关，为评估多种拓扑结构的SiC MOSFET提供了一种手段。这包括优化的半桥开关同步死时间保护和异步信号传输无保护模式。它还可以配置为提供并发驱动，以研究无夹紧感应开关(UIS)或双脉冲测试的需求。该参考设计是为Microsemi SiC MOSFET分立器件和模块开发的，并作为评估其SiC器件组合的工程工具。该板支持门电阻值的修改，以适应大多数Microsemi离散和模块。
Microsemi战略营销经理Jason Chiang表示:“双SiC MOSFET驱动器参考设计不仅使Microsemi客户能够加速其产品开发工作，而且还能适应我们下一代SiC MOSFET的推出，以确保最终用户的平稳过渡。”“全面考虑电力电子设计的客户可以利用我们新的SiC驱动器解决方案，为他们的设计选择最佳的驱动器和组件，并能够扩展到他们特定的SiC MOSFET需求。”
双SiC MOSFET驱动器参考设计适用于广泛的终端市场和应用，包括航空航天(驱动，空调和配电)，汽车(混合动力/电动汽车动力总成，电动汽车电池充电器，DC-to-DC转换器和能量回收)，国防(电源和大功率电机驱动)，工业(光伏逆变器，电机驱动，焊接，不间断电源，开关模式电源，感应加热和石油钻探)和医疗(MRI和x射线电源)。
Analog Devices与Microsemi合作，作为加速生态系统的一部分，旨在缩短终端客户的上市时间，并缩短生态系统参与者的收入时间。Microsemi的Accelerate生态系统汇集了领先的硅、知识产权(IP)、系统、软件和设计专家，为终端客户提供经过验证的电路板和系统级解决方案。欲知详情，请浏览http://www.microsemi.com/design-support/accelerate-ecosystem-partners．
SiC产品具有许多优势，包括在相同物理尺寸下提高25- 50%的功率输出，在更高开关频率下比绝缘栅双柱晶体管(igbt)的效率，减小系统尺寸和重量，在温度(+175℃)下运行稳定，以及显著节省冷却成本。
根据市场研究公司Yole Développement的数据，2021年SiC功率市场预计将超过5.5亿美元，2015-2021年复合年增长率(CAGR)为19%。该公司还介绍了SiC的好处是如何影响新产品和SiC技术的发展的。Microsemi在这些趋势中处于有利地位，其SiC mosfet比传统的硅功率mosfet具有更好的动态和热性能，以及其他优势。将Analog Device的ADuM4135隔离SiC驱动器解决方案集成到Microsemi的MSCSICMDD/REF1 SiC MOSFET驱动器参考设计中，进一步增强了公司满足客户产品开发需求的能力。
Analog Devices具有DESAT和许多其他保护功能的隔离门驱动器提供强大的门驱动能力(6A)，再加上强大的电气隔离，对于高压电源转换系统的长寿命和安全运行至关重要。与使用光耦合器或脉冲变压器的设计相比，该公司的隔离门驱动器组合为设计人员提供了性能和可靠性优势。利用Analog Devices经过验证的iCoupler®技术，隔离门驱动器系列在宽带隙器件特别是SiC mosfet实现的高电压和高开关速度应用中提供了许多关键优势。这些优势包括优于50 ns的卓越传播延迟，信道间匹配小于5ns，共模瞬态抗扰度(CMTI)优于>100KV/us，以及单个封装中支持最高1500V DC寿命工作电压的能力。
有关Analog Devices的隔离门驱动器的更多信息可以在http://www.analog.com/en/products/power-management/isolated-gate-drivers.html．