更高的效率、更高的功率密度、更小的占地面积和更低的系统成本:这些都是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技有限公司EASY 1B开始量产，这是2016年PCIM期间宣布的首个全sic模块。在今年的纽伦堡PCIM上，该公司展示了1200 V CoolSiC™MOSFET系列的额外模块平台和拓扑结构。英飞凌现在能够将SiC技术的潜力提升到一个新的水平。
英飞凌工业动力控制事业部总裁Peter Wawer博士表示:“碳化硅已经达到了一个临界点:考虑到成本效益分析，它已经准备好用于各种应用。”“但是，为了使新半导体技术成为可依赖的革命，需要英飞凌这样的合作伙伴。为应用量身定制的产品，我们自己的生产能力，全面的技术组合和系统理解:这四个基石使我们成为功率半导体市场的领导者。我们希望并将通过我们的SiC产品组合实现这一目标。”
新的1200 V SiC mosfet经过优化，将高可靠性与性能相结合。它们显示的动态损耗比1200v硅(Si) igbt低一个数量级。First产品最初将支持光伏逆变器、不间断电源(UPS)和充电/存储系统等应用领域即将面临的系统挑战。在不久的将来，新的配置还将在工业驱动、医疗技术或铁路部门的辅助电源领域实现革命性的新解决方案。
沟槽技术与1200v SiC MOSEFT的一个主要优势在于扩展的鲁棒性。这是由于较低的故障率(FIT)和短路能力，可以适应各自的应用。由于阈值电压(V th)为4 V，建议开关阈值(V GS)为+15 V，晶体管可以像IGBT一样被控制，并在发生故障时安全关闭。SiC mosfet能够实现非常快的开关瞬态。此外，英飞凌的技术通过栅极系列电阻提供了简单的瞬态调节。因此，EMC行为可以很容易地优化。
去年，英飞凌宣布了领先产品EASY 1B(半桥/助推器)以及离散的TO-247-3pin和-4pin解决方案。EASY 1B平台已经成熟，是快速交换设备的理想模块平台。在今年的PCIM展会上，英飞凌将展示更多基于1200v SiC MOSFET技术的模块平台和拓扑结构。这一步一步地扩展了CoolSiC mosfet的性能谱。其中，英飞凌展示了以下SiC模块:
- EASY 1B与B6 (Six-Pack)拓扑结构:该模块的特点是经过验证的英飞凌模块配置，导通电阻(R DS(ON))仅为45 mΩ。集成体二极管确保低损耗自由运转功能。EASY 1B适用于驱动、太阳能或焊接技术领域的应用。
- 具有半桥拓扑的EASY 2B:这种更大的EASY设备提供了增强的性能，每个交换机的R DS(ON)为8 mΩ。低电感模块概念适用于超过50千瓦的应用和快速开关操作。这些包括太阳能逆变器、快速充电系统或不间断电源的解决方案。
- 62毫米半桥拓扑:额外的半桥配置，具有更高的功率，每个开关功能的R DS(ON)为6 mΩ。该模块平台为中等功率范围内的系统提供了低电感连接的可能性。各种各样的应用都利用了它，包括医疗技术或铁路部门的辅助电源，仅举几例。由于有大量可能的应用，英飞凌预计该模块将迅速普及。
可用性
在PCIM 2016上推出的主要产品EASY 1B和两种离散器件TO-247-3pin和-4pin将在今年逐步进入量产。EASY 1B的半桥配置现在可用。它的市场推出支持各种驱动模块和演示板，也可以从现在开始。新产品配置以样品形式提供，计划于2018年开始批量生产。更多信息请访问www.infineon.com/coolSiC．
英飞凌在2017年PCIM上
在2017年PCIM贸易展上，英飞凌展示了用于工业、消费和汽车应用的高效系统的领先技术。英飞凌为智能能源世界提供电力的演示在9号展厅(2017年5月16日至18日，德国纽伦堡)的412号展位展出。有关PCIM展览的详情，请浏览www.infineon.com/pcim．