Nexperia半导体领域的专家，今天推出了一款650 V SiC肖特基二极管，专为需要超高性能，低损耗和高效率的电源应用而设计。10a, 650v SiC肖特基二极管是一种工业级部件，可解决高电压和高电流应用的挑战。其中包括开关电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并允许更可持续的运行。例如，配备安派瑞PSC1065K SiC肖特基二极管设计的电源的数据中心将比仅使用硅基解决方案的数据中心更好地满足严格的能效标准。
PSC1065K具有不受温度影响的电容开关和零恢复性能，具有卓越的品质系数(QC x VF)。其优异的开关性能几乎完全不受电流和开关速度变化的影响。PSC1065K的合并PiN肖特基结构提供了额外的好处，例如对浪涌电流的出色稳健性，从而消除了对额外保护电路的需要。这些特性显著降低了系统复杂性，使硬件设计人员能够在坚固的高功率应用中以更小的外形实现更高的效率。设计师可以进一步放心，安派瑞作为一系列半导体技术高质量产品供应商的良好声誉。
这种SiC肖特基二极管封装在一个real -2引脚(R2P) TO-220-2通孔电源塑料封装中。其他封装选项包括表面安装(DPAK R2P和D2PAK R2P)和通孔(to -247-2)，具有真正的2引脚配置，可提高高达175°C高温下高压应用的可靠性。
Nexperia SiC产品组高级总监Katrin Feurle补充说:“我们很自豪能够提供高性能SiC肖特基二极管，该二极管在当前可用的解决方案中名列前茅。在能源意识日益增强的世界里，随着对大批量、高效率应用的需求显著增加，我们将为市场带来更多选择和可用性。”
安派瑞计划不断扩大其SiC二极管产品组合，包括在650 V和1200 V电压下工作、电流在6-20 A范围内的汽车级部件。新型碳化硅二极管的样品和生产数量现已提供。