未来电力电子系统的设计不断推进，以提高最先进的性能和功率密度。为了支持这一趋势，英飞凌科技AG)推出源向下3.3 x 3.3 mm²PQFN产品系列，25- 150v级，具有底部侧(BSC)和双面冷却(DSC)变体。该产品系列在组件级别上提供了显著的增强，在DC-DC电源转换方面提供了有吸引力的解决方案，为服务器，电信，OR-ing，电池等领域的系统创新提供了可能性保护、电动工具和充电器应用。
该产品组合将英飞凌最新的MOSFET技术与领先的封装相结合，将系统性能提升到一个新的水平。在source - down (SD)概念中，MOSFET模具源触点翻转到封装的占地面积一侧，然后焊接到PCB上。此外，该概念还包括在芯片顶部改进的卡扣设计，用于漏极触点和市场领先的芯片与封装面积比。
随着系统外形因素的不断缩小，两个关键方面是必不可少的:减少功率损耗和优化热管理。与一流的PQFN 3.3 x 3.3 m²排水设备相比，该系列显着提高了导通电阻(RDS(上))降低25%。英飞凌的OptiMOS SD PQFN带DSC提供了一个增强的热接口，将功率损失从交换机重定向到散热器。DSC变体提供了将电源开关连接到散热器的最直接方式，与相应的底部侧冷却SD变体相比，增加了多达三倍的功耗能力。
两种不同的占地面积变体可为PCB路由提供最高的灵活性。一个传统的标准闸门变体提供了一个快速和简单的修改现有排水设计。中心门(Center-Gate, CG)变体为并行设备提供了可能性，以尽可能缩短驾驶员到门的连接。整个OptiMOS SD PQFN 3.3 x 3.3 mm²25- 150v产品系列具有最高的系统性能，最高的连续电流能力可达298 A。
可用性
OptiMOS SD PQFN 3.3 x 3.3 mm²25-150 V产品系列包括两个占地面积版本，标准版和CG版。DSC包中的两个变体现在都可以订购了。