Nexperia宣布了Nexperia TrEOS产品组合的最新成员，PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低箝位ESD保护二极管。这些器件结合了高浪涌健壮性、极低的触发和夹紧电压以及宽通频带，提供了卓越的抗浪涌能力，其出色的IEC61000-4-5评级证明了这一点。
Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示:“Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门为我们的客户提供一系列高性能ESD保护解决方案，适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt™、HDMI 2.1和Universal Flash等应用。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速开关速度为高速提供了极其有效的ESD峰值抑制性能，而其低触发电压有助于显著降低IEC61000-4-5 / 8/20µs浪涌脉冲的能量含量。”
单线PESD4V0Y1BBSF采用低电感DSN0603-2封装，触发电压为6.3 V TLP，具有典型的器件健壮性，电容分别为25 a 8/20µs和0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF在16 a 100 ns TLP时仅提供2.4 V的夹紧电压，在20 a 8/20µs浪涌时仅提供3.4 V。双线PESD4V0X2UM采用紧凑型DFN1006-3封装，触发电压为8 V，典型器件鲁棒性超过14 a 8/20µs，典型器件电容为0.82 pF。
虽然这两种设备都为USB2.0 D+/D-线提供了出色的保护，但PESD4V0Y1BBSF的S21通频带超过7.5 GHz，使其适用于USB3。x @ 5 Gbps。这两种设备都提供了高水平的抗浪涌，正如其优秀的IEC61000-4-5评级所证明的那样。
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