是德科技有限公司宣布路径波先进设计系统(ADS) 2023用于高速数字(HSD)设计，具有存储设计器功能，可用于下一代接口标准(如双倍数据速率5 (DDR5))的建模和仿真。
随着数据中心吞吐量的攀升，对服务器和高性能计算的性能期望推动了对高密度、超高速内存或DDR5动态随机存取内存(DRAM)的需求。以两倍于DDR4存储器的数据速率运行会导致设计余量的缩小，并且使硬件设计人员难以优化印刷电路板(PCB)以最小化反射、串扰和抖动的影响。此外，较低的电压、较高的电流以及对DRAM接收器内均衡的要求会带来信号完整性方面的挑战，这对故障排除来说既困难又昂贵。
是德科技的PathWave ADS 2023可确保快速模拟设置和高级测量，同时为设计人员提供关键见解，以克服信号完整性挑战。其内存设计人员使用预布局构建器快速构建参数化内存总线，允许设计人员探索系统权衡，减少DDR5，低功耗双数据速率(LPDDR5 / 5x)和图形双数据速率(GDDR6 / 7)存储系统的设计时间和降低产品开发风险。
意大利工业集团SECO设计和生产嵌入式系统和物联网解决方案，其PCB设计和SI/PI负责人Lorenzo Forni表示:“我们第一个DDR5设计的最大收获是，模拟需要考虑很多方面。”“你必须将叠加分析、路由几何和AMI模型结合起来。幸运的是，我们使用了Keysight的内存设计器来模拟DDR5，它非常自动化。配置是内置的，非常简单。Memory Designer原理图的设置减少了所需的时间，并且模拟发现了我们设计过程中的许多问题。”
是德科技公司PathWave HSD产品管理总监Stephen Slater表示:“是德科技在通道模拟技术方面有着悠久的历史，并且在包括JEDEC在内的内存行业标准机构中处于测试领导地位。“我们致力于为DDR实现构建最广泛的产品和服务组合，包括从模拟到探测和固定的DDR5内存的完整设计到测试工作流程。因此，我们的HSD设计客户在设计签署时体验到更具预测性的流程和更高的信心。”
是德科技的PathWave ADS 2023主要客户优势包括:
精确仿真与建模
- 支持多种新一代标准:LPDDR4、LPDDR5、GDDR6、GDDR7、HBM2/2E、HBM3和NAND
- 准确预测数据眼的闭合和均衡:使用单端I/O(输入输出)缓冲信息规范算法建模接口(IBIS-AMI)建模，具有转发时钟，DDR总线仿真和精确的PCB信号路由电磁(EM)提取，最大限度地减少抖动，ISI和串扰的影响
- 通过单一设计环境缩短上市时间，使预硅数字孪生中的寻路能够满足当前的集成要求，如转发时钟和定时、IBIS算法建模接口(IBIS- ami)建模和合规性测试，以及未来的挑战，如单端脉冲幅度调制4电平(PAM4)，用于探索DDR6
快速仿真时间
- 通过参数化的预布局构建器快速生成总线，使设计人员能够快速生成内存信号的宽总线，并轻松创建灵活的原理图来探索权衡
- 完成仿真的速度提高80%:基于云的高性能计算(HPC)使用并行处理来加快内存设计器和EM仿真的运行时间
将仿真与测试相结合
- 通过模拟和测量领域之间的简单连接，自动实现从设计到测试的工作流程，以便将存储的数据与物理原型的测量结果进行比较