使半导体该公司宣布扩大其E-CAP™硅电容器系列，其技术在密度和性能方面取得了进一步突破。
E-CAP将多个分立电容集成到单个固态器件中，是世界上最薄、最紧凑、最灵活的电容解决方案。该技术汇集了电容密度，是领先的多层陶瓷电容器(mlcc)的五倍以上，具有改进的等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)特性，可显着减少寄生。
最新的E-CAP解决方案采用最先进的沟槽电容技术设计，密度为1.1 μ F/mm2其密度是其他硅电容器技术的两倍多。除了密度，厚度水平可以达到低于50µm的总高度。从75pF到5µF (@2V)的多个匹配电容值可以集成到单个芯片中，以创建定制的集成电容阵列，而形状因素可以根据特定应用的空间和高度限制进行定制。基于凸点、衬垫和支柱的包装选项允许设计师根据特定的系统约束选择最佳解决方案
Empower公司销售和营销高级副总裁Steve Shultis表示:“E-CAP提供了一种卓越的高频解耦解决方案，与传统的基于mlcc的解决方案相比，其占地面积和组件数量要小得多。“我们的技术为物联网、可穿戴设备、移动设备和处理器等要求苛刻的应用提供了新的选择，这些应用对尺寸、性能和灵活性至关重要。在密度和性能方面的最新改进使E-CAP成为下一代数据密集型系统的理想选择，这些系统需要以尽可能小的外形尺寸实现高频操作和最高效率。”
使用E-CAP，设计人员可以将所有非批量高频去耦电容器组合到单个芯片中，从而大大减少组件数量、BoM成本和潜在故障点。尽管e - cap具有较低的标称电容，但它们的频率响应和mlcc的ESL在高频时的阻抗较低。与mlcc不同的是，mlcc需要多个器件来考虑电压、温度和使用年限的降级，而E-CAP不需要交流或直流偏置降级，而所有其他降级要求都可以忽略不计。这消除了“过度指定”电容要求以考虑降级的需要。