Integra宣布已开始向美国和欧洲客户生产其突破性的100 V射频GaN技术。Integra销售和营销副总裁Tom Kole表示:“通过与客户的合作，我们的系统工程师帮助设计了新的雷达架构，充分利用了第三代100 V射频GaN技术的优势。看到Integra的100 V RF GaN产品与客户一起投入生产，这是令人兴奋的，因为它标志着另一个行业第一。”
Integra还宣布扩大其100 V射频GaN产品组合，推出7种产品，用于航空电子、定向能、电子战、雷达和科学细分市场，单晶体管功率水平高达5千瓦。这些产品采用了Integra的100 V射频GaN技术，该技术经过优化，可在单个晶体管中提供最高功率和效率，同时保持可靠的工作结温。结合Integra的热增强专利和晶体管设计专业知识，这些产品提供可靠的操作，MTTF为107个小时。Integra总裁兼首席执行官Suja Ramnath表示:“Integra花了十年的时间来创新、成熟和商业化我们突破性的100 V射频GaN技术。基于我们25年的半导体创新传统，第三代100 V RF GaN继续扩展我们的技术和市场领导地位。”
此外，Integra的合作伙伴电视上的视频为Integra针对国防市场的所有100 V RF GaN功率器件和托盘提供高可靠性选择。Teledyne e2v HiRel副总裁兼总经理Brad Little表示:“我们的太空客户可以从Integra的100 V RF GaN产品以及Teledyne的专业知识和长期提供太空RF组件的传统中受益。这些创新产品为空间有效载荷工程师提供了最先进的电源设备，可以将其插入到他们的应用中。”
100v射频GaN器件介绍:
零件号 |
描述 |
市场 |
IGW4000 |
100v，超宽带多芯片模块 |
电子战 |
IGN1012S2500 |
100v, 2.5 kW L波段定向能晶体管 |
定向能 |
IGN1030S3100 |
75v, 3.1 kW L波段航空电子晶体管 |
航空电子设备 |
IGN1030S3600 |
100伏，3.6千瓦L波段航空电子晶体管 |
航空电子设备 |
IGN1313S3600 |
100伏，3.6千瓦1.3GHz科学晶体管 |
科学 |
IGN1214M3200 |
75v, 3.2 kW, 1.2-1.4GHz, L波段雷达晶体管 |
L波段雷达 |
IGN2729M1500 |
100v, 1.5 kW, 2.7-2.9GHz, S波段雷达晶体管 |
S波段雷达 |