理查森RFPD公司。宣布了两个650 V e模氮化镓晶体管的可用性和完整的设计支持能力氮化镓系统公司。
的氮化镓晶体管gs - 065 - 060 - 3 - b / TR提供低DS(上)(25 mΩ)，并具有60 a IDS评级和GaN Systems的岛技术®电池布局，高电流模具性能和产量。该设备具有更新的设计，并在GaN中提供px在小包装中实现低电感和低热阻的包装。
GS-065-060-3-B是底部侧冷却;GS-065-060-3-T是顶部冷却的。两者都为高功率应用提供低连接到外壳的热阻，包括太阳能逆变器，能源存储系统，车载充电器，不间断电源，工业电机驱动和无线电源传输。
GaN晶体管的其他主要特性包括:
- 我DS (max): 60
- 超低流分布
- 简单栅极驱动要求(0 V至6 V)
- 瞬态容差门驱动(-20 / +10 V)
- 高开关频率(> 10 MHz)
- 快速和可控的上升和下降时间
- 逆向传导能力
- 零反向回收损失
- 占用空间小
- 双栅垫，优化板布局