对高功率密度的不断增长的需求正推动开发人员采用1500 V_直流在它们的应用中链接，以增加每逆变器的额定功率，降低系统成本。然而，1500伏_直流基于的系统也对系统设计提出了更多的挑战，例如在高直流电压下的快速开关，这通常需要多级拓扑。这导致了复杂的设计和相对大量的组件。为了应对这一挑战，英飞凌科技有限公司介绍了其扩展的CoolSiC™产品组合，包括高压解决方案，为光伏、电动汽车充电和能源存储系统提供基础。

扩展的CoolSiC产品组合提供2kV碳化硅(SiC) mosfet，以及一个2kV SiC二极管，适用于最高1500 V的应用_直流．SiC MOSFET在一个器件中结合了低开关损耗和高阻塞电压，可以最佳地满足1500 V的要求_直流系统。2 kV CoolSiC技术提供了低漏源电阻(R_DS(上))值。此外，坚固的二极管体适用于硬开关。与1700 V SiC mosfet相比，该技术允许足够的过电压裕度，并提供由宇宙射线引起的FIT率低10倍。此外，扩展的栅极电压工作范围使设备易于使用。

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英飞凌科技有限公司

这款SiC MOSFET芯片基于英飞凌最近推出的先进SiC MOSFET技术M1H。最新的进展允许显着更大的栅极电压窗口，提高给定尺寸的导通电阻。同时，更大的栅极电压窗对栅极上与驱动器和布局相关的电压峰值具有较高的鲁棒性，即使在高开关频率下也没有任何限制。英飞凌提供一系列功能隔离高达2.3 kV的EiceDRIVER™栅极驱动器，以支持2 kV SiC mosfet。

可用性

2 kV CoolSiC mosfet样品目前可在EasyPACK™3B和62mm模块中使用，后续可在高压离散TO247-PLUS封装中使用。此外，英飞凌还提供了具有2.3 kV隔离能力的EiceDRIVER嵌入式生态系统。Easy 3B (DF4-19MR20W3M1HF_B11)是一种具有4个升压电路的功率模块，作为1500 V PV串逆变器的MPPT级，计划于2022年第三季度开始生产，62毫米模块为半桥配置(3,4,6 mΩ)将于2022年第四季度开始生产。采用最新获奖XT互连技术的分立设备将于2022年底上市。