理查德森RFPD公司宣布了两个650v e模式氮化镓晶体管的可用性和完整的设计支持能力GaN系统公司
的GaN晶体管GS-065-060-3-B/T提供低RDS(上)(25 mΩ)并具有60 a IDS评级和GaN Systems的孤岛技术®电池布局，可实现高电流模具性能和成品率。该设备具有更新的设计，并提供GaNpx在小包装中实现低电感和低热阻的封装。
GS-065-060-3-B是底部冷却;GS-065-060-3-T是顶部冷却。两者都为高功率应用提供低结壳热阻，包括太阳能逆变器、储能系统、车载充电器、不间断电源、工业电机驱动和无线电力传输。
GaN晶体管的其他关键特性包括:
- 我DS (max): 60 a
- 超低流分布
- 简单的栅极驱动要求(0v至6v)
- 瞬态容差栅极驱动(-20 / +10 V)
- 高开关频率(> 10mhz)
- 快速和可控的下降和上升时间
- 反向传导能力
- 零反向回收损失
- 占用空间小
- 双闸板衬垫优化板布局