2019年,IBIS (I/O缓冲区信息规范)7.0的批准为IBIS在包建模能力方面带来了急需的改进。这些更改在IBIS更改请求文档中提出BIRD189.7.中添加了对各种包模型的支持试金石而且IBIS-ISS(IBIS Interconnect SPICE Subcircuit, Synopsys®HSPICE的一个子集,用于互连)格式。

电子设计自动化(EDA)工具可以以最小的工作量导入和使用这些模型,使信号完整性工程师的工作在设置模拟时大大简化。IBIS 7.0还增加了对I/O缓冲器和模具垫之间的模上互连模型以及复杂的模上电源传输网络模型的支持。

有人可能会认为所有的包建模限制都解决了;然而,一个主要的限制留给了IBIS的下一个版本来解决。这一限制是IBIS早期版本中内置的信号路径的一对一包引脚到I/O缓冲区连接假设。实际上,这意味着您不能模拟大多数多模包,例如堆叠内存。

IBIS互连任务小组花了两年时间创建了称为电气模块描述(EMD)的建模解决方案;作为IBIS变更请求文件发布BIRD202.3.EMD不仅解决了前面描述的包模型限制,而且完全取代了过时的IBIS电板描述(EBD)模型格式。

EBD最初是在IBIS 3.0中引入的,二十年来一直用于建模多模具包、电路板和模块。EBD严重限制了连通性和电建模。使用EMD,可以使用广泛使用的Touchstone或IBIS-ISS文件对图1中所示的DDR4注册DIMM (RDIMM)进行建模。

从边缘连接器到寄存器的印刷电路板迹线可以建模,以及从寄存器路由到DRAM组件的后寄存器网络。EMD也可以用来建模RDIMM上的任何叠模DRAM组件。使用EMD,模型制作者还可以灵活地划分跟踪模型,以平衡串扰和配电网络(PDN)需求与影响最终仿真速度的模型大小和复杂性。

自动生成的日历描述
图1:DDR4注册内存(来源:IBIS 7.1)

EMD是发现的主要改进之一IBIS 7.1规范,于2021年12月10日由IBIS开放论坛批准。有了IBIS 7.1,集成电路开发人员还可以使用Touchstone和IBIS- iss提供I/O缓冲阻抗(C comp)模型。

IBIS算法建模接口(IBIS- ami)的几个增强功能支持描述最新高速DDRx接口中的均衡特性。此外,IBIS-AMI“反向通道”链路训练协议得到了增强,增加了对基于统计的缓冲区均衡设置优化的支持。

另一个特性支持简化的模上PDN模型。新版本包括其他技术和编辑方面的改进,比IBIS 7.0版本有了显著的改进。随着官方IBIS语法解析器软件的后续发布,IBISCHK7.1.0,模型制造商可以开始升级模型以支持所有功能。更好的是,EDA工具供应商已经宣布支持IBIS 7.1。