Teledyne LeCroy宣布推出DL-ISO高电压光隔离1 GHz探头和功率器件测试软件，该软件与高清示波器(HDO®)结合使用时，可提供氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率半导体器件的最准确电气特性。
三十多年来，工程师们已经使用硅(Si)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率半导体器件来生产电源和功率转换系统。然而，消费者要求更小、更轻的电源和系统，政府要求更高的效率。宽带隙(WBG)材料，如GaN和SiC，在半导体器件中的切换速度比Si快十倍以上，并且在提高效率的同时减小了尺寸和重量。然而，许多工程师是第一次实现WBG半导体，他们需要更多的测量带宽和更准确和详细的半导体器件分析。
Teledyne LeCroy DL-ISO高压光学隔离探头为设计工程师提供最高置信度的GaN和SiC功率半导体器件测量。该探头具有最佳的信号保真度，最低的超调和最佳的精度-结合Teledyne LeCroy行业领先的12位分辨率hdo时达到1.5%，几乎是唯一竞争对手的两倍。1ghz带宽满足GaN器件1ns上升次数的测量要求。hdo还提供高达20 GS/s的12位分辨率采样率，可最忠实地捕获和显示高速GaN和SiC器件信号。这种最佳信号保真度、低超调、高精度、高带宽和高采样率的组合对于在未来的设计中成功实现GaN和SiC技术至关重要。Teledyne LeCroy的Power-Device软件包还通过自动化JEDEC®开关损耗和其他测量简化了GaN和SiC器件的分析，并通过颜色编码叠加来突出相关的测量区域。
价格和供应情况
DL-ISO探头的带宽为350 MHz、700 MHz和1 GHz。