最大限度地减少研发工作和成本，以及中压氮化镓(GaN)开关稳健高效的运行是现代电力电子系统的关键要求。根据其战略性设计的GaN产品组合，不断加强完整的系统解决方案，gydF4y2Ba英飞凌科技有限公司gydF4y2Ba介绍了EiceDRIVER™1EDN71x6G HS 200V单通道门驱动ic系列。该产品系列旨在提高CoolGaN™肖特基门(SG) hemt的性能，但也与其他GaN hemt和硅mosfet兼容。栅极驱动器的目标是广泛的应用，包括DC-DC转换器，电机驱动器，电信，服务器，机器人，无人机，电动工具和D类音频放大器。gydF4y2Ba
1EDN71x6G变体具有可选的上拉和下拉驱动强度，使能波形和开关速度优化，而不需要门电阻。这将导致更小的功率级布局和更少的BOM组件。最强/最快的驱动变体(1EDN7116G)适用于具有显著并行性的半桥配置。最弱/最慢的驱动变体(1EDN7146G)可用于一些dv/dt受限的应用，如电机驱动或非常小的GaN(高rgydF4y2BaDS(上)gydF4y2Ba，低QgydF4y2BaggydF4y2Ba) HEMTs。每种变体也有不同的消隐时间，与建议的最小死区时间、最小脉冲宽度和传播延迟成正比。gydF4y2Ba
真正的差分逻辑输入(TDI)功能消除了低侧应用中由于地反弹而导致的错误触发风险，并使1EDN71x6G能够解决甚至高侧应用。此外，所有变体都具有一个主动米勒钳，具有非常强的下拉，以避免诱导启动。这提供了额外的鲁棒性，以防止门驱动回路中的故障，特别是当驱动具有高米勒比的晶体管时。gydF4y2Ba
此外，1EDN71x6G提供主动自举夹紧，以避免在死区期间对自举电容器过度充电。这提供了自举电源电压调节，保护高侧晶体管的门，而不需要一个额外的调节电路。还提供了一个可选的可编程电荷泵，具有可调负关断电源，以在需要时，例如当PCB布局不能完全优化时，提供额外的米勒诱导开关免疫。gydF4y2Ba
EiceDRIVER HS 200 V单通道门驱动器ic 1EDN7116G, 1EDN7126G, 1EDN7136G，和1EDN7146G CoolGaN SG hemt现在可以在PG-VSON-10包中订购。gydF4y2Ba