Teledyne e2vHiRel宣布TD99102 UltraCMOS®高速场效应管和氮化镓晶体管驱动器提供非常高的开关速度20兆赫。倒装芯片部分非常适合驱动Teledyne HiRel的100v高可靠性GaN HEMT器件，用于DC-DC、AC-DC转换器、轨道负载点(POL)模块和空间电机驱动。
的TD99102是一种集成高速驱动器，设计用于控制外部功率器件的门，如增强模式氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)和功率mosfet。TD99102的输出能够在亚纳秒范围内为高达20兆赫的切换应用提供切换转换速度。TD99102针对匹配的死区时间进行了优化，并提供传播延迟以提高系统带宽。高开关速度导致更小的外围组件，并使创新设计的高可靠性轨道电机驱动器和POL应用。TD99102可作为一个碰撞，倒装芯片模具，以实现高速开关电源应用所需的最小设计占地面积。
TD99102采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种先进的绝缘体上硅(SOI)技术专利形式，具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性。它具有100 krad(Si)总电离剂量(TID)，单事件闭锁(SEL)免疫和死区时间控制，产品提供2A峰值源和4A峰值汇聚电流。
Teledyne e2v HiRel业务发展副总裁Mont Taylor表示:“我们一直在寻求能够最大限度地利用我们的100 V GaN HEMT晶体管的驱动程序。“TD99102的快速边缘速度和抗辐射能力使其成为最新的LEO和MEO星座的理想选择，效率是关键。”
TD99102可从Teledyne e2v HiRel或an订购和立即购买授权经销商．