高功率密度、优化的性能和易用性是设计现代电力系统的关键要求。为终端应用中的设计挑战提供实用的解决方案，英飞凌科技有限公司推出最新一代OptiMOS™源下(SD)功率mosfet。它们采用PQFN 3.3 x 3.3毫米2封装和宽电压等级从25v到100v。该封装设定了功率MOSFET性能的标准，提供更高的效率，更高的功率密度，改进的热管理和低材料清单(BOM)。PQFN解决的应用包括电机驱动器，服务器和电信和OR-ing的SMPS，以及电池管理系统。
与标准的Drain-Down概念相比，最新的Source-Down封装技术可以在相同的封装轮廓中实现更大的硅晶片。此外，可以减少封装造成的限制设备整体性能的损耗。这使得R得以减少DS(上)与最先进的排水包相比，降低了30%。系统层面的好处是缩小了外形因素，有可能从SuperSO8 5 x 6毫米移动2占地面积为PQFN 3.3 x 3.3毫米2包装空间减少约65%。这样可以更有效地利用可用空间，提高功率密度和终端系统的系统效率
此外，在Source-Down概念中，热量通过热垫直接消散到PCB中，而不是通过键合线或铜夹。这提高了热阻RthJC降低了20%以上，从1.8 K/W降至1.4 K/W，从而简化了热管理。英飞凌提供了两种不同的内存版本和布局选项:SD标准门和SD中心门。Standard-Gate布局简化了Drain-Down包的插入替换，而Center-Gate布局实现了优化和更容易的并行化。这两种方案可以带来PCB中最优的器件排列、优化的PCB寄生和易用性。
OptiMOS源下功率mosfet现已提供PQFN 3.3 x 3.3 mm2封装，广泛的电压等级从25到100伏，以及两个不同的占地面积版本。更多信息请访问www.infineon.com/source-down．