英飞凌科技有限公司通过增加宽带隙(SiC和GaN)半导体领域的制造能力，正在加强其在功率半导体领域的市场领导地位。该公司将投资超过20亿欧元，在马来西亚久林建造第三个模块。一旦完全装备完毕，该模块将通过基于SiC和GaN的产品产生20亿欧元的额外年收入。
根据公司的长期制造战略，此次扩张将受益于在Kulim已经实现的200毫米制造的出色规模经济。它将补充英飞凌在Si领域的领先地位，基于Villach和Dresden的300毫米制造。这项投资将极大地加强英飞凌的整体竞争优势，这种优势基于英飞凌“从产品到系统”的方针，结合了技术领先地位、广泛的产品组合和深厚的应用知识。
“创新技术和绿色电能的使用是减少碳排放的关键。可再生能源和电动汽车是电力半导体需求强劲和可持续增长的主要驱动力，”英飞凌首席运营官Jochen Hanebeck表示。“我们SiC和GaN产能的扩大为英飞凌加速宽带隙市场做好了准备。我们正在将我们在Villach的开发能力中心和在Kulim的高成本效益生产相结合，以开发宽带隙功率半导体。”
两个站点具有高容量宽频带隙能力，以提高供应链的弹性
目前，英飞凌已经为3000多家客户提供基于sic的产品。与硅基解决方案相比，这些半导体在效率、尺寸和成本方面具有更好的系统性能，可用于各种应用，为客户提供附加价值。英飞凌的“从产品到系统”战略方针还通过领先的基础技术、最广泛的产品和封装组合以及无与伦比的应用知识，促进了基于sic的半导体的采用。重点应用于工业电源、光伏、交通、驱动、汽车和电动汽车充电。英飞凌的目标是，到2015年，基于sic的功率半导体的营收将达到10亿美元。预计GaN市场也将经历大规模增长——从2020年的4700万美元增长到2025年的8.01亿美元(复合年增长率:76%;来源:Yole-Compound半导体季度市场监测2021年第三季度)。英飞凌拥有领先的系统和应用理解，广泛的GaN IP组合和强大的研发力量。
“久林3号”一旦竣工，将创造900个高价值工作岗位。该工厂将于6月开始建设，2024年夏天将准备好设备。第一批晶圆将于2024年下半年离开晶圆厂。在Kulim的投资将包括重要的增值步骤，特别是外延工艺和晶圆隔离。
马来西亚高级部长兼国际贸易和工业部长拿督斯里·穆罕默德·阿兹敏·阿里表示:“马来西亚是英飞凌的主要区域中心之一，这项进一步的投资真正证明了我们有利的生态系统和我们当地人才支持长期增长的能力。”政府将通过马来西亚投资发展局(Malaysian Investment Development Authority)继续与我们的战略投资者密切合作，巩固马来西亚作为该地区重要半导体中心的地位。”
Villach将加强其作为宽带隙技术全球能力中心的作用
Villach工厂将继续作为宽带隙技术的基地和全球能力中心，在未来几年改造现有的硅设施。6英寸和8英寸Si生产线将通过重新利用非特定Si设备转换为SiC和GaN制造。Villach工厂目前正在为进一步的增长机会做准备。