Teledyne e2vHiRel公司在其基于GaN系统技术的650伏大功率系列产品中增加了两种额外的强化GaN功率hemt(高电子迁移率晶体管)。
两台大功率hemt，TDG650E30B而且TDG650E15B相比于去年推出的原装650v，该产品的电流性能分别为30安培和15安培TDG650E60，输出60 A。
这些650v GaN hemt是市场上最高电压的GaN电源器件，用于高可靠性的军事、航空电子设备和空间应用。它们是电源、电机控制和半桥拓扑等应用的理想选择。
它们具有底部侧冷却配置，并具有超低FOM岛技术®模具，低电感GaNPX®封装，>100 MHz非常高频开关，快速和可控的下降和上升时间，反向电流能力，等等。
“我们很高兴继续建设我们的650v高功率GaN HEMTs系列，用于要求最高可靠性的应用，如空间。Teledyne e2v HiRel业务发展副总裁Mont Taylor说。“我们相信，这些新设备的小尺寸包装将真正有利于设计最高功率密度项目的客户。”
TDG650E15B和TDG650E30B都是增强模式GaN-on-Silicon功率晶体管，允许大电流，高电压击穿和高开关频率，同时为大功率应用提供非常低的结-壳热阻。
氮化镓器件已经彻底改变了其他行业的电源转换，现在可用于耐辐射的塑料封装包装，经过严格的可靠性和电气测试，以确保关键任务的成功。这些新型GaN hemt的发布为客户提供了关键航空航天和国防电力应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。
对于所有的产品线，Teledyne e2v HiRel执行最苛刻的认证和测试，为最高的可靠性应用量身定制。对于电力设备，该测试包括硫测试、高空模拟、动态老化、高达175°C环境下的阶跃应力、9伏栅极电压和全温度测试。与碳化硅(SiC)器件不同，这两个器件可以很容易地并行实现，以增加负载电流或降低有效RDSon。
这两款新设备现在都可以订购和立即购买。