研究集成电路(ic)和印刷电路板的抗扰度对于开发过程中测试组件和组件非常重要。利用H4- IC和H5-IC组的磁场源，Langer EMV-Technik GmbH提供专门的工具，用于将爆发脉冲小规模注入集成电路、线路结构和组件中。
EFT/Burst磁场源的特点是可实现高达200mt的高场强。这意味着即使通过其外壳，电路也可以受到相关场的影响。电路的反应可以用来分析干扰的抗扰性和信号的安全性。电路的安全性可以在电路的不同功能阶段进行评估(例如，在启动或切换操作期间)。EFT/突发磁场源的频率响应针对突发发生器的标准脉冲传输进行了优化(根据IEC 61000-4-4)。
H5-IC组的BS 06DU-s场源的最大磁通密度约为。峰值时为150吨。由于场源的设计，场线被场源尖端排斥，因此即使在更远的距离也能达到很高的效率。BS 06DU-s的磁场围绕尖端以下的线网旋转，因此该场源可特别用于耦合到最小的导体线以及粘合线上。
H4-IC组的BS 06DB-s场源的磁通密度约为。在它的顶端200吨。场线束从场源尖端垂直出现，并在场源附近闭合。因此，该场源可用于检测电路和组件中特定的水平环路结构。
EFT/Burst磁场源BS 06DU-s和BS 06DB-s经过校准，可用于比较测量，并可根据其测量任务由手动或移动器(例如ICS 105 Langer IC扫描仪)引导。