ACM Research, Inc.为先进的包装解决方案推出了超无应力抛光(SFP) ap工具。Ultra SFP ap旨在解决通硅过孔(TSV)工艺和扇出晶圆级封装(FOWLP)产生的产量问题，例如困扰FOWLP工艺的铜覆盖和晶圆翘曲问题。
Ultra SFP ap利用ACM成熟的SFP技术，并将其与化学机械平面化(CMP)和湿蚀刻室集成到一个系统中。在最后的平面化和湿蚀刻步骤之前，工艺晶圆以三步方法通过腔室轻轻去除铜覆盖层并缓解晶圆翘曲。此外，由于其内置的电解液回收和再利用系统，SFP ap的化学物质消耗显著降低，使其成为更可持续、更环保的选择，拥有成本更低。
ACM research首席执行官David Wang解释说:“我们在2009年完成了SFP技术的研究和开发，认识到它是领先于时代的。TSV和FOWLP应用的快速增长，再加上以更低的拥有成本和消耗品成本推动更环保的工艺，为我们今天推出Ultra SFP ap提供了理想的市场条件。”
ACM今天还宣布，它在2019年第四季度向一家领先的中国晶圆级封装供应商交付了第一个Ultra SFP ap。第一个工具正在该外包半导体组装和测试客户的研发线上进行验证，预计将在2020年年中获得第一轮资格数据。然后，该工具将被转移到生产线进行进一步验证，并在客户接受后确认收益。
与ACM的电镀铜技术类似，但反过来，Ultra SFP ap的专有电化学反应机制包括同时向晶圆输送电解质和电源，因为它在卡盘上旋转，以电方式去除晶圆表面的金属离子。在TSV和扇出应用中，Ultra SFP ap的三步方法有效地消除了对晶圆的任何工艺诱导应力。在TSV应用中，SFP用于去除0.2微米以下的大块铜覆盖层(TSV后填充)。接下来，CMP用于将晶圆平面化，并将剩余的铜移至钛阻挡层。最后，执行湿蚀刻步骤以去除钛并暴露氧化层。在FOWLP中，同样的工艺步骤序列可用于消除晶圆翘曲，去除铜覆盖层，并使再分布层平面化。
由于电解液和湿蚀剂化学物质都是通过内置的电解液回收系统实时回收和再利用的，Ultra SFP ap可以显著降低耗材的总体使用量。此外，该系统回收被去除的金属的能力，可以用于其他用途，增加了其可持续性。
Ultra SFP ap 335配置了两个SFP腔，一个CMP站和两个湿蚀刻/清洁腔。工艺化学要求包括电解质，铜浆，铜蚀刻剂，和钛蚀刻剂。所有这三种工艺都实现了0.5微米/分钟的去除率，小于3%的晶圆内不均匀性和小于1.5%的晶圆间不均匀性。