Microchip Technology Inc.宣布扩大其更小、更轻、更高效的产品组合碳化硅电源模块．连同其广泛的微控制器(mcu)和模拟组合产品,芯片是大功率系统控制的需要,门驱动,功率级——支持客户提供整体系统解决方案。
碳化硅(SiC)半导体是提高系统效率、支持更高工作温度和降低电力电子设计成本的创新选择。它们可广泛用于工业、汽车、医疗、航空航天、国防和通信细分市场的高压、大功率应用。我们的下一代SiC mosfet和SiC肖特基势垒二极管(ssd)设计具有高重复无箝位感应开关(UIS)能力和出色的栅极氧化物屏蔽和通道完整性，可实现稳健运行。我们的SiC MOSFET和SiC SBD模具可用于各种拓扑的电源模块。
SiC器件和电源模块提供:
- 降低开关损耗，提高系统效率
- 相似的电源拓扑具有更高的功率密度
- 更高的工作温度
- 减少冷却需求，更小的过滤器和被动式
- 更高的开关频率
- 在额定电压下，与同类绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，中子磁化率的失效时间(FIT)率低10倍
- SiC模块在< 2.9 nH时具有极低的寄生(杂散)电感
碳化硅器件如何解决您的设计难题?
- 700V和1200V范围广，支持多种应用和市场
- 与硅相比，更高的SiC功率密度可以实现更小的磁性、变压器、滤波器和无源，从而实现紧凑的外形
- SiC产品可以与其他Microchip设备相结合，包括8位、16位和32位微控制器、电源管理设备、模拟传感器、触摸和手势控制器以及无线连接解决方案，以创建一个完整的系统并降低整体系统成本
欲了解包括价格在内的更多信息，请联系Microchip销售代表、授权全球分销商或访问Microchip的SiC产品组合网站．要购买这里提到的产品，请联系Microchip授权分销商。