Vishay Intertechnology, Inc.在紧凑的热增强PowerPAK中引入了共漏双n通道60 V MOSFET^®1212 - 8 - scd包。Vishay Siliconix设计用于提高电池管理系统、插件和无线充电器、DC/DC转换器和电源的功率密度和效率SiSF20DN提供了行业最低的R_s(上)在60v共漏装置中。

双MOSFET提供RS-S(ON)降低到10 mΩ典型的10v，在3mm × 3mm占地面积的60v设备中最低。该值也代表了在此占地面积上比次优解决方案提高了42.5%，比Vishay的上一代设备低89%。其结果是降低了整个功率路径的电压降和最小的功率损失，以提高效率。对于更高的功率密度，SiSF20DN的R_S1S2(上)倍面积比次优备选MOSFET低46.6%，即使包括更大的6mm × 5mm溶液。

为了节省PCB空间，减少组件数量，简化设计，该设备使用了优化的封装结构与两个整体集成的TrenchFET^®IV型n沟道mosfet的通用漏配置。SiSF20DN的源触点并排放置，与传统的双封装类型相比，扩大的连接增加了与PCB的接触面积，进一步降低了电阻率。这种设计使得MOSFET适用于24v系统和工业应用中的双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动、白色家电、机器人、安全/监控和烟雾报警器。

SiSF20DN是100% Rg和ui测试，符合rohs，无卤。